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p型透明导电SrCu_2O_2薄膜电学性能的研究进展
1
作者
高岭
方亮
+3 位作者
董建新
彭丽萍
陈勇
汪立文
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第F11期322-325,共4页
SrCu_2O_2是一种新型可掺杂为p型导电的直接带隙透明氧化物半导体,其沉积温度低,基于p-SrCu_2O_2和n-ZnO薄膜已经成功制备出异质结透明近紫外发光二极管,预示着其广阔的应用前景。对SrCu_2O_2的能带结构进行了详细说明,分析了p型TCO的...
SrCu_2O_2是一种新型可掺杂为p型导电的直接带隙透明氧化物半导体,其沉积温度低,基于p-SrCu_2O_2和n-ZnO薄膜已经成功制备出异质结透明近紫外发光二极管,预示着其广阔的应用前景。对SrCu_2O_2的能带结构进行了详细说明,分析了p型TCO的导电机理,并对影响SrCu_2O_2电学性能的因素及如何提高其导电性能进行了讨论。
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关键词
SrCu2O2
透明导电膜
带隙
P型半导体
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职称材料
题名
p型透明导电SrCu_2O_2薄膜电学性能的研究进展
1
作者
高岭
方亮
董建新
彭丽萍
陈勇
汪立文
机构
重庆大学数理学院应用物理系重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第F11期322-325,共4页
基金
重庆市自然科学基金(CSTC20054718)
教育部"新世纪优秀人才支持计划"(NCET-05-0764)
中国博士后科学基金(200537544)资助
文摘
SrCu_2O_2是一种新型可掺杂为p型导电的直接带隙透明氧化物半导体,其沉积温度低,基于p-SrCu_2O_2和n-ZnO薄膜已经成功制备出异质结透明近紫外发光二极管,预示着其广阔的应用前景。对SrCu_2O_2的能带结构进行了详细说明,分析了p型TCO的导电机理,并对影响SrCu_2O_2电学性能的因素及如何提高其导电性能进行了讨论。
关键词
SrCu2O2
透明导电膜
带隙
P型半导体
Keywords
SrCu2O2, transparent conductive film, band gap, p-type semiconductor
分类号
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
TN304.05 [电子电信—物理电子学]
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1
p型透明导电SrCu_2O_2薄膜电学性能的研究进展
高岭
方亮
董建新
彭丽萍
陈勇
汪立文
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
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