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金刚石薄膜内应力研究现状
被引量:
9
1
作者
方亮
王万录
+2 位作者
王健
廖克俊
丁培道
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第6期39-41,共3页
主要从内应力的测定方法、内应力与沉积工艺参数之间的关系两方面对国内外金刚石薄膜内应力的研究现状进行了综述。
关键词
金刚石
薄膜
内应力
CVD
研究
现状
下载PDF
职称材料
金刚石薄膜压阻效应研究现状
被引量:
2
2
作者
方亮
王万录
+2 位作者
丁培道
廖克俊
王健
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期34-36,共3页
对硼掺杂p型金刚石薄膜压阻效应的国内外研究现状进行了综述,并对p型金刚石薄膜具有非常显著的压阻效应的产生机制进行了初步分析讨论。
关键词
金刚石
薄膜
压阻效应
CVD
研究综述
下载PDF
职称材料
P型金刚石薄膜压阻效应的理论研究
被引量:
1
3
作者
方亮
王万录
+2 位作者
丁培道
廖克俊
王健
《重庆大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
2000年第1期78-81,92,共5页
结合形变势理论和价带分裂模型,对硼掺杂P型金刚石薄膜的压阻效应进行了分析和讨论。结果表明,金刚石中轻、重空穴有效质量的巨大差异是导致其具有显著压阻效应的主要原因之一。并推导出应变诱导轻、重空穴带分裂时压阻因子的近似计...
结合形变势理论和价带分裂模型,对硼掺杂P型金刚石薄膜的压阻效应进行了分析和讨论。结果表明,金刚石中轻、重空穴有效质量的巨大差异是导致其具有显著压阻效应的主要原因之一。并推导出应变诱导轻、重空穴带分裂时压阻因子的近似计算公式,计算结果与实验结果一致。
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关键词
金刚石
薄膜
化学汽相沉积
压阻效应
P型
下载PDF
职称材料
P型多晶金刚石薄膜压阻效应的研究
被引量:
4
4
作者
方亮
王万录
+2 位作者
丁培道
廖克俊
王健
《中国科学(A辑)》
CSCD
1999年第6期542-549,共8页
结合Mayadas Shatzkes多晶模型 ,对硼掺杂多晶金刚石薄膜的压阻效应进行了分析和讨论 .结果认为 ,价带分裂和晶界散射的联合作用是导致P型多晶金刚石薄膜具有显著压阻效应的主要原因 .推导出考虑晶界散射时压阻因子的近似计算公式 ,计...
结合Mayadas Shatzkes多晶模型 ,对硼掺杂多晶金刚石薄膜的压阻效应进行了分析和讨论 .结果认为 ,价带分裂和晶界散射的联合作用是导致P型多晶金刚石薄膜具有显著压阻效应的主要原因 .推导出考虑晶界散射时压阻因子的近似计算公式 ,计算结果与实际情况相符 .
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关键词
金刚石薄膜
压阻效应
晶界散射
半导体
P型
原文传递
题名
金刚石薄膜内应力研究现状
被引量:
9
1
作者
方亮
王万录
王健
廖克俊
丁培道
机构
重庆大学
理
学院
应用物理
系
重庆大学材料学院材料学系
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第6期39-41,共3页
基金
国家自然科学基金
文摘
主要从内应力的测定方法、内应力与沉积工艺参数之间的关系两方面对国内外金刚石薄膜内应力的研究现状进行了综述。
关键词
金刚石
薄膜
内应力
CVD
研究
现状
Keywords
diamond films
internal stress
CVD
分类号
O484.2 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
金刚石薄膜压阻效应研究现状
被引量:
2
2
作者
方亮
王万录
丁培道
廖克俊
王健
机构
重庆大学材料学院材料学系
重庆大学
理
学院
应用物理
系
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期34-36,共3页
基金
国家自然科学基金
文摘
对硼掺杂p型金刚石薄膜压阻效应的国内外研究现状进行了综述,并对p型金刚石薄膜具有非常显著的压阻效应的产生机制进行了初步分析讨论。
关键词
金刚石
薄膜
压阻效应
CVD
研究综述
Keywords
diamond films
piezoresistive effect
CVD
分类号
TN304.18 [电子电信—物理电子学]
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
P型金刚石薄膜压阻效应的理论研究
被引量:
1
3
作者
方亮
王万录
丁培道
廖克俊
王健
机构
重庆大学
理
学院
应用物理
系
重庆大学材料学院材料学系
出处
《重庆大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
2000年第1期78-81,92,共5页
基金
国家自然科学基金!(69486001)
文摘
结合形变势理论和价带分裂模型,对硼掺杂P型金刚石薄膜的压阻效应进行了分析和讨论。结果表明,金刚石中轻、重空穴有效质量的巨大差异是导致其具有显著压阻效应的主要原因之一。并推导出应变诱导轻、重空穴带分裂时压阻因子的近似计算公式,计算结果与实验结果一致。
关键词
金刚石
薄膜
化学汽相沉积
压阻效应
P型
Keywords
diamond
films
chemical vapour deposition / piezoresistive effect
分类号
O484.42 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
P型多晶金刚石薄膜压阻效应的研究
被引量:
4
4
作者
方亮
王万录
丁培道
廖克俊
王健
机构
重庆大学
理
学院
应用物理
系
重庆大学材料学院材料学系
出处
《中国科学(A辑)》
CSCD
1999年第6期542-549,共8页
基金
国家自然科学基金资助项目!(批准号 :6 9486 0 0 1)
文摘
结合Mayadas Shatzkes多晶模型 ,对硼掺杂多晶金刚石薄膜的压阻效应进行了分析和讨论 .结果认为 ,价带分裂和晶界散射的联合作用是导致P型多晶金刚石薄膜具有显著压阻效应的主要原因 .推导出考虑晶界散射时压阻因子的近似计算公式 ,计算结果与实际情况相符 .
关键词
金刚石薄膜
压阻效应
晶界散射
半导体
P型
分类号
TN304.18 [电子电信—物理电子学]
O472.4 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
金刚石薄膜内应力研究现状
方亮
王万录
王健
廖克俊
丁培道
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
9
下载PDF
职称材料
2
金刚石薄膜压阻效应研究现状
方亮
王万录
丁培道
廖克俊
王健
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
2
下载PDF
职称材料
3
P型金刚石薄膜压阻效应的理论研究
方亮
王万录
丁培道
廖克俊
王健
《重庆大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
2000
1
下载PDF
职称材料
4
P型多晶金刚石薄膜压阻效应的研究
方亮
王万录
丁培道
廖克俊
王健
《中国科学(A辑)》
CSCD
1999
4
原文传递
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