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链间耦合对聚乙炔多链体系中电子极化子再激发态的影响 被引量:1
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作者 陈少波 赵铧 +1 位作者 常刘安 陈英 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期1119-1125,共7页
采用拓展紧束缚Su-Schrieffer-Heeger(SSH)模型,研究了链间耦合对反式聚乙炔多链体系中电子极化子再激发态的晶格位形、净电荷密度、局域能级波函数和态密度的影响.结果发现:对于两条链体系,当链间耦合很小(t⊥≤0.01 e V)时,注入到系... 采用拓展紧束缚Su-Schrieffer-Heeger(SSH)模型,研究了链间耦合对反式聚乙炔多链体系中电子极化子再激发态的晶格位形、净电荷密度、局域能级波函数和态密度的影响.结果发现:对于两条链体系,当链间耦合很小(t⊥≤0.01 e V)时,注入到系统中的电子只会在第一条链上诱发产生一个晶格缺陷,形成电子极化子再激发态,这和单链体系是一致,而第二条链仍是二聚化基态.随着链间耦合的增大,第一条链上缺陷的局域度减少而第二条链上的缺陷局域度相应增加,直至两条链上的位形相同;对于多条链(5条链和6条链)体系,当耦合很小(t⊥≤0.05 e V)时,电子极化子再激发态也只会存在于一条链上,当链间耦合较强时,极化子再激发态会在链间层次性地扩展开来,并不会出现多条链位形相同;从两条链的能级图上可以看到随着链间耦合t⊥的增大,体系的带隙不断的增大和电子态密度显示的是完全吻合的,体系的导电性减弱.通过分析两条链体系在t⊥=0 e V和t⊥=0.1 e V的能级态密度,发现链间耦合越强,则中间局域能级的态密度越小,最后没有中间局域态. 展开更多
关键词 链间耦合 电子极化子 再激发态
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简并破却项对反式聚乙炔中极化子单激发态的影响
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作者 陈少波 常刘安 +1 位作者 陈英 张殿喜 《河南科技》 2016年第11期136-139,共4页
本文采用紧束缚模型加上长程电子关联项哈密顿量模型,研究了反式聚乙炔中极化子的单电子激发,分析了其单激发态的物理性质。与极化子相比,其单激发态体系能带中央的两条定域能级相互靠拢,近乎重合,形成了束缚较弱的孤子-反孤子对。此外... 本文采用紧束缚模型加上长程电子关联项哈密顿量模型,研究了反式聚乙炔中极化子的单电子激发,分析了其单激发态的物理性质。与极化子相比,其单激发态体系能带中央的两条定域能级相互靠拢,近乎重合,形成了束缚较弱的孤子-反孤子对。此外,研究简并破缺参数对极化子单激发态反向极化的影响发现,基态简并聚乙炔中的极化子单激发态的反向极化最强,随着te的增大反向极化减弱,当te增大到一定值时,反向极化消失。 展开更多
关键词 极化子 单激发态 长程电子关联 简并破缺
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厚度为d的薄膜中激子及其边界极化对其能级的影响
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作者 赵铧 熊稳 《重庆大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期94-98,110,共6页
研究了在厚度为d的薄膜中的激子能级和由于边界极化效应对激子能级的影响;这种影响归结为电子和空穴的镜像电荷对电子与空穴的相互作用.结果发现,这种相互作用对激子的能级有所降低以及对有机薄膜和无机薄膜(它们的介电常数不同)的材料... 研究了在厚度为d的薄膜中的激子能级和由于边界极化效应对激子能级的影响;这种影响归结为电子和空穴的镜像电荷对电子与空穴的相互作用.结果发现,这种相互作用对激子的能级有所降低以及对有机薄膜和无机薄膜(它们的介电常数不同)的材料,这种相互作用对激子能级的影响大不相同. 展开更多
关键词 极化与激子 薄膜 能级
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超原子及其组装材料
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作者 刘志锋 祝恒江 《新疆师范大学学报(自然科学版)》 2012年第2期21-27,共7页
近年来,在团簇物理学中出现了超原子这一新兴研究方向。本文结合超原子已有的实验和理论研究,简单介绍了超原子概念及其发展历程,论述了超原子研究的范畴、目的和意义,分析了超原子及其组装材料的研究现状及潜在研究课题。
关键词 团簇 超原子 超原子组装材料
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InAs双壁管状团簇及双壁纳米管结构、稳定性和电子特性的第一性原理研究 被引量:1
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作者 吴鹏 刘立仁 +2 位作者 祝恒江 邹艳波 刘志锋 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第24期168-177,共10页
利用第一性原理研究InAs双壁管状团簇及其双壁纳米管的几何结构、稳定性和电子特性.几何结构分析表明,In(3pk+4p)/2As(3pk+4p)/2(p=6,8,10,k=3,4,···,11)双壁管状团簇的几何构型符合欧拉公式,并得到In(3pk+4p)/2As(3pk+4... 利用第一性原理研究InAs双壁管状团簇及其双壁纳米管的几何结构、稳定性和电子特性.几何结构分析表明,In(3pk+4p)/2As(3pk+4p)/2(p=6,8,10,k=3,4,···,11)双壁管状团簇的几何构型符合欧拉公式,并得到In(3pk+4p)/2As(3pk+4p)/2双壁管状团簇及(m,n)@(2m,2n)(m=n=3,4,5)型InAs纳米管的管径公式.电子特性的计算结果表明:[6,k]@[12,k+2]型管状团簇和(3,3)@(6,6)型纳米管稳定性最高;利用前线轨道随尺寸的变化规律,得到InAs双壁管状团簇的生长机理,阐明实验合成InAs纳米管的微观机理;态密度和能带研究结果表明,InAs双壁管状团簇及双壁纳米管都具有半导体特性. 展开更多
关键词 双壁管状团簇 双壁纳米管 管径公式 态密度
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