氧化锌(ZnO)是II-VI族直接带隙化合物半导体材料,室温下禁带宽度为3.37 e V,激子束缚能高达60me V,是制造蓝紫外发光、探测以及激光器件的理想材料。高质量n型和p型ZnO以及同质p-n结的制备是实现器件化的关键。目前,n型ZnO的制备技术已...氧化锌(ZnO)是II-VI族直接带隙化合物半导体材料,室温下禁带宽度为3.37 e V,激子束缚能高达60me V,是制造蓝紫外发光、探测以及激光器件的理想材料。高质量n型和p型ZnO以及同质p-n结的制备是实现器件化的关键。目前,n型ZnO的制备技术已趋于成熟,但高质量稳定的p型ZnO的缺乏已成为制约其器件化的瓶颈。在过去的十余年里,通过国内外科研工作者的不懈努力,在理论和实验上都取得了显著的成果。本文主要概述了ZnO材料的p型掺杂、p型导电机制以及p-ZnO基光电器件的研究进展,同时初步探索了ZnO材料p型导电稳定性问题。展开更多
文摘氧化锌(ZnO)是II-VI族直接带隙化合物半导体材料,室温下禁带宽度为3.37 e V,激子束缚能高达60me V,是制造蓝紫外发光、探测以及激光器件的理想材料。高质量n型和p型ZnO以及同质p-n结的制备是实现器件化的关键。目前,n型ZnO的制备技术已趋于成熟,但高质量稳定的p型ZnO的缺乏已成为制约其器件化的瓶颈。在过去的十余年里,通过国内外科研工作者的不懈努力,在理论和实验上都取得了显著的成果。本文主要概述了ZnO材料的p型掺杂、p型导电机制以及p-ZnO基光电器件的研究进展,同时初步探索了ZnO材料p型导电稳定性问题。