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V,Cr掺杂AlP稀磁半导体的电子能态密度和磁性研究
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作者 周清 《西南大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期27-31,共5页
在共轭梯度近似(GGA)下,采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,对V,Cr掺杂闪锌矿AlP半导体的基态电子能态密度和磁性进行了研究.结果表明,掺入V和Cr后的AlP明显具有铁磁性,每个超晶胞总磁矩为2.0和3.0μB,并具有显著的半金... 在共轭梯度近似(GGA)下,采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,对V,Cr掺杂闪锌矿AlP半导体的基态电子能态密度和磁性进行了研究.结果表明,掺入V和Cr后的AlP明显具有铁磁性,每个超晶胞总磁矩为2.0和3.0μB,并具有显著的半金属特征.这对在半导体工业中实现自旋载流子的注入具有一定的理论价值. 展开更多
关键词 第一性原理 稀磁半导体 电子能态密度 半金属相 磁性
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