在二氧化硅衬底上制备磁光Ce∶YIG薄膜用于磁光波导型器件

对Ce1YIG磁光薄膜的制备过程及磁光性能进行了详细的研究 .用RF磁控溅射法在二氧化硅的基片上淀积Ce1YIG薄膜 ,再对此薄膜进行晶化处理 ,以得到具有磁光性能的Ce1YIG薄膜 .本文讨论了晶化过程中 ,Ce1YIG薄膜微观结构的变化对其磁光性能的影响 .结果表明 :采用波长为 6 30nm的可见光测量 ,薄膜的饱和法拉第旋转系数θF为 0 .8deg/ μm .同时 ,晶化薄膜易磁化方向为平行于膜面方向 ,其居里温度点为 2 2 0℃ .所得Ge1YIG薄膜的参数表明

菲涅尔区修正圆柱面天线的聚焦场特性

在圆柱面上进行一维菲涅尔区相位修正结构设计,可以构成一类新型的点源馈电透镜天线。该文用辅助源法导出该透镜天线对任意斜入射平面波形成的聚焦场分布,分析了其聚焦性能及偏轴扫描特性。

等离子体刻蚀过程的APC技术研究进展

先进过程控制(APC)是一个多层次的控制系统,其包含了实时的设备及工艺控制和非实时的RtR控制。APC引入等离子体刻蚀过程控制可极大提高刻蚀机的使用效率。针对等离子体刻蚀过程,本文分别从实时控制和RtR控制两个不同层次展开了论述,概述了RtR控制器中所使用的线性回归模型和神经网络模型。最后,讨论了APC技术的发展趋势。

等离子体刻蚀工艺控制模型分析

讨论了主因素分析法以及神经网络法在等离予体刻蚀工艺中的应用。结果表明主元素分析法可以实现对数据的压缩,而神经网络算法则显示出比传统的统计过程控制算法更好的准确性。

APC技术在刻蚀工艺过程控制中的研究进展

APC是一个多层次的控制系统,其包含了实时的设备及工艺控制和非实时的RtR控制。APC引入等离子体刻蚀过程控制可极大提高等离子刻蚀机的使用效率和产品成品率,适应当前深亚微米半导体工艺技术发展的需求。针对等离子体刻蚀机及其刻蚀工艺过程控制的需求,本文分别从实时控制和RtR控制两个不同层次展开了论述,讨论了APC技术的发展趋势。

Ce:YIG纳米粉体结构与磁性的研究

用共沉淀法制备纳米级的Ce:YIG石榴石粉体颗粒。颗粒尺寸的计算结果表明平均粒径为70nm,这与通过TEM观察到的几乎一致。与氧化物工艺相比,所制备的粉体化学活性高,烧结温度显著降低,由1300℃降低到约900℃。最后对粉体的磁性能与烧结温度的关系进行了讨论。