高温合金GH4169(Inconel 718)中磷晶界偏聚特性的实验研究

采用Auger电子能谱仪测量了镍基高温合金GH4169中磷(P)的晶界偏聚量.结果表明,经1020与1200℃固溶处理后在720℃时效2h的样品,P的晶界偏聚浓度分别是0.344%与0.412%(原子分数).晶界偏聚浓度随固溶处理温度的升高而升高.基于这一实验结果,确定了P在该合金中的非平衡晶界偏聚特性.

脉冲熔融-飞行时间质谱法测定金属材料中氧、氮、氢和氩

采用自主研制的脉冲熔融-飞行时间质谱法可以同时测定金属中O,N,H和Ar。重点讨论质谱谱线的选择,信号获得以及数据处理和校准,并给出O,N,H和Ar 4种的检出限分别为0.021,0.060,0.002和0.002"g/g,线性范围分别为0.070～500"g/g,0.200～400"g/g,0.006～40"g/g和0.005～15"g/g。并利用不同样品对本方法的准确性和精密度进行了验证,实验结果与传统方法吻合。实验表明,本方法准确、有效,可同时测定4种气体元素O,N,H和Ar。

辉光放电光谱仪用高稳定度高压恒流源的研制

直流辉光放电等离子体激发光源工作时需要0.5～1.5 kV的高电压以及5～100 mA恒定可控的电流。放电电流的稳定性对辉光放电光源的稳定工作至关重要,为此,研制了一种用于辉光放电光谱仪的高稳定度高压恒流源。该恒流源用于驱动Grimm型辉光放电光源对样品进行溅射和光谱激发,恒流源采用绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和高精度低漂移运算放大器,结合电路图介绍了其工作原理及过压、过流、过热保护措施。经实验验证,恒流源输出开路电压为1.1 kV,输出电流为0～100 mA连续可调,该恒流源的输出电流稳定性高,保证了辉光放电光谱仪样品成分分析的精密度,其负载调整率和输入电压调整率均<0.05%;此恒流源驱动Grimm型辉光放电等离子体激发光源对金属样品溅射效果良好,给出了溅射坑表面形貌图以及显微照片、溅射速率。对GBSA6800x不锈钢标样中的Cr、Cu、Al、W元素测试结果相对标准偏差(RSD)<2.5%。

辉光放电质谱分析中质谱干扰及其校正方法的现状

详细地介绍了辉光放电质谱分析中的质谱干扰如同量异位素、多原子离子和多电荷离子干扰。从同位素选择、高分辨率仪器、碰撞诱导解离、离子源冷却、数学方法校正、放电气体更换和放电气体纯度提高等方面对辉光放电质谱的质谱干扰校正方法的现状进行了评述(引用文献共68篇)。

用于实时溅射深度测量的新型Grimm辉光放电光源的设计

采用辉光放电光谱仪进行物质表面深度分析时,样品溅射深度是重要的分析信息。本文设计了一种新型Grimm辉光放电光源,此光源与激光位移测距传感器构成的测量系统可对样品溅射深度进行实时测量,并保证了良好的辉光溅射效果和分辨多层结构及界面的能力。采用激光三角测量技术,在辉光光谱分析的同时对溅射深度进行实时测量,能够有效地解决传统深度分析方法中步骤繁琐以及对深度估算不准确等问题。本光源采用光纤将辉光光谱信号从光源传至多道分光光电检测系统,在结构上首次实现了元素光谱信号和溅射深度信号的实时采集及基于时间的同步分析,对标准样品得到了理想的实时溅射深度测量曲线。本文详细介绍了此新型辉光放电光源的设计思路和工作原理。本辉光放电光源具有良好的深度分辨率,在30 mA,900 V,20 min的溅射条件下,对铁基和铜基样品的溅射速率分别约为10和55 nm.s-1,文中给出了样品的溅射坑表面形貌图和溅射坑显微照片。对中低合金钢标准样品进行了分析精密度实验,分析精度良好,其中C,Cu,Al,Ni,Mo,Mn,V元素相对标准偏差(RSD)均小于1.7%,Cr和Si元素RSD小于2.6%,给出了实测数据。

电感耦合等离子体四极杆质谱碰撞/反应池技术现状与进展

简要地介绍了电感耦合等离子体四极杆质谱(Inductively Coupled Plasma Quadru-pole Mass Spectrometry,ICP-QMS)中碰撞/反应池系统。对各主要仪器厂商(如安捷伦、布鲁克、珀金埃尔默、赛默飞世尔)的ICP-QMS的碰撞/反应池系统进行了归纳,分为如四极杆碰撞/反应模式、多极杆碰撞/反应模式、锥碰撞/反应模式三种类型。分别对不同类型的碰撞/反应池系统的现状与进展进行了详细地评述。

国内辉光放电光谱仪的研制

本文介绍了辉光放电光谱仪(GD-OES)的结构与基本原理。分别对仪器各部件(如辉光放电光源、直流恒流供能源、光学系统、自动控制系统、数据采集处理系统)的研制进行了详细地阐述。采用研制的辉光放电光谱仪分别对样品进行了成分分析和深度分析,取得了很好的分析结果。所研制的辉光放电光谱仪在光学系统的PMT负高压、直流恒流供能源、光源不同部位的不同抽速等多方面都有相应的技术创新。

电感耦合等离子体四极杆质谱离子光学系统的现状与进展

简要地介绍了电感耦合等离子体四极杆质谱(Inductively Coupled Plasma Quadru-pole Mass Spectrometry,ICP-QMS)的离子光学系统。对各主要仪器厂商(如安捷伦、珀金埃尔默、赛默飞世尔、瓦里安)的ICP-QMS的离子光学系统进行了归纳,分为光子挡板、离轴、90度偏转三种类型。分别对不同类型的离子光学系统的现状与进展进行了详细地评述。

具有抗杂散光干扰功能的光电光泽度计

本文介绍了一种具有抗杂散光干扰功能的光电光泽度计电路设计和工作原理。本设计采用了 1kHz激光调制光源、二阶高通滤波电路等抗干扰措施。实测显示 ,在测试光泽度为 1 0 0的样品时 ,用 40W白炽灯、手电筒模拟干扰光对测光传感器近距离直接照射 ,输出示值变化小于 1 5 %。

金属材料拉伸试验测量结果不确定度评定

文章介绍了金属材料室温拉伸试验测量结果不确定度的方法,内容包括抗拉强度、下屈服强度、规定非比例延伸强度、断后伸长率和断面收缩率等性能指标。

激光剥蚀电感耦合等离子体质谱新进展

简单介绍了激光剥蚀电感耦合等离子体质谱(LA-ICP-MS)的基本原理及装置。分别对LA-ICP-MS在飞秒激光器、紫外激光器、固液气溶胶混合进样、集合式小样品标样、原位统计分布技术上的技术新进展进行了详细的评述。最后对LA-ICP-MS在元素含量分析与空间分布分析中所占的地位及其应用前景进行了展望。

微型ICP激发源微电路组件的参数设计

本文简要介绍了一种采用微结构平面螺旋线圈的新的ICP(电感耦合等离子体)光谱激发源。作者设计加工出的基于PCB(印刷电路板)镀金工艺的微型ICP激发源在13.56MHz下成功启燃,并给出了ICP火炬照片。详细介绍了作者研制的微型ICP激发源的平面螺旋电感和交指电容的参数设计方法,给出了设计版图和实物照片,微结构线条宽度和间隙在数百微米量级。展望了平面螺旋电感和交指电容在微型ICP激发源的中的应用前景。

某压缩机45钢转轴断裂原因分析

某压缩机转轴在正常工作中突然发生断裂,通过对失效转轴的化学成分、力学性能、显微组织、裂纹及断口形貌进行分析和检验,查明了其断裂原因。结果表明:该转轴断裂为旋转弯曲疲劳断裂;断裂起源于转轴补焊热影响区的沿晶微裂纹,转轴加工过程中表面进行补焊并且补焊工艺控制不当是导致其断裂失效的主要原因。

辉光放电光谱法在深度分析上的应用现状

本文简单地介绍了辉光放电光谱法(GD-OES)的基本原理。分别对深度分析的定量方式、放电方式、应用领域和相关标准进行了详细地阐述。重点描述了商品化仪器中使用的SIMR深度分析定量方法。分别对三种放电方式(如直流、射频和脉冲)在深度分析中的特点进行了介绍。综述了GD-OES在金属镀层、复杂涂镀层、纳米级薄膜和样品制备领域的具体应用。最后,介绍了GD-OES在深度分析方面的标准。

辉光放电光谱的应用新进展

本文对近年来辉光放电光谱(GD-OES)在铸铁、高合金、多基体样品的成分分析及纳米级薄膜材料、复杂涂镀层的深度分析上新的应用进展进行了阐述。同时,分别介绍了辉光放电光谱应用标准方面的动态和针对工艺过程应用推出的特定新仪器。

辉光放电光谱仪新进展

本文对辉光放电光谱仪(GDOES)的光源激发方式、仪器的检测器、各种实用附件以及在深度分析上应用的新进展分别进行阐述。

晶间脆性断裂的非平衡偏聚机理研究

中温脆性、回火脆性是困扰材料学界百年的两大晶间脆性难题,其发生机理一直是材料科学与工程学界研究的热点。根据溶质非平衡偏聚恒温动力学特征,总结出了中温脆性的非平衡偏聚机理。另外,依据溶质非平衡偏聚的临界时间现象,综述了回火脆性的非平衡偏聚研究最新进展。通过对以上两种晶间脆性断裂发生机理的分析发现,它们都是由溶质的非平衡偏聚临界时间引起的。

长期热老化后核电站主管道材料的力学行为

大型压水堆核电站主管道多采用综合性能优良的铸造奥氏体不锈钢,但该材料在中温下长期服役会发生热老化脆化现象。总结了国内外的最新研究成果,主要综述了长期热老化过程中主管道材料的相变规律及其影响因素,以及长期热老化后材料的纳米硬度、拉伸、冲击和疲劳行为。

阀箱开裂原因分析

某公司生产的阀箱,在试压过程中发生开裂,为确定阀箱开裂原因,对开裂阀箱材料的力学性能、显微组织、裂纹及断口形貌进行了分析和检验。结果表明,阀箱材料中存在严重的枝晶偏析,在偏析严重的区域存在锻造裂纹缺陷,缺陷附近发生氢致延迟开裂,最终在测试水压的作用下,裂纹失稳扩展导致阀箱发生开裂。针对开裂原因,提出了改进工艺的建议。