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提高晶闸管di/dt能力的研究 被引量：1
1
作者 夏吉夫 潘福泉 关艳霞 《电源技术应用》 2014年第4期17-22,共6页
从di／dt损坏机制，定量公式入手，分析了国内外有关di／dt的著作、文章，研究了提高晶闸管器件di／dt能力的各种有效方法，给出了一个常规新设计及其研究成果。
关键词 晶闸管 DI dt能力 放大门极 短路点 扩展速度 强触发
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提高晶闸管di/dt能力的研究
2
作者 夏吉夫 潘福泉 关艳霞 《变频技术应用》 2013年第4期49-53,共5页
从di／dt损坏机制、定量公式入手，分析了国内外有关di／dt的著作、文章，研究了提高晶闸管器件di／dt能力的各种有效方法，给出了一个常规新设计及其研究成果。
关键词 晶闸管 DI dt能力 放大门极 短路点 扩展速度 强触发
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