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应变层超晶格(ZnSe)_n/(ZnS)_m的亚带结构
1
作者
汪静
黄和鸾
《辽宁大学学报(自然科学版)》
CAS
1994年第3期50-55,共6页
本文讨论了应变对越晶格(ZnSe)_n/(ZnS)_m在T点带边结构的影响,计算了带偏移:并在双量子阱近似下,用有效质量近似方法计算了应变层超晶格(ZnSe)_n/(ZnS)_m的亚带结构。
关键词
应变层超晶格
亚带结构
半导体材料
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职称材料
题名
应变层超晶格(ZnSe)_n/(ZnS)_m的亚带结构
1
作者
汪静
黄和鸾
机构
锦州师范学院物量系
出处
《辽宁大学学报(自然科学版)》
CAS
1994年第3期50-55,共6页
文摘
本文讨论了应变对越晶格(ZnSe)_n/(ZnS)_m在T点带边结构的影响,计算了带偏移:并在双量子阱近似下,用有效质量近似方法计算了应变层超晶格(ZnSe)_n/(ZnS)_m的亚带结构。
关键词
应变层超晶格
亚带结构
半导体材料
Keywords
Strained-layer superlattice,Band offset,Subband structure.
分类号
TN304.01 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
应变层超晶格(ZnSe)_n/(ZnS)_m的亚带结构
汪静
黄和鸾
《辽宁大学学报(自然科学版)》
CAS
1994
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