石英基底的ITO薄膜制备及光电性能

采用脉冲磁控溅射法在高纯石英基底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。通过X射线衍射仪、扫描电镜对石英基底上ITO薄膜的微观结构及表面形貌进行了分析,并且研究了溅射气压、溅射时间和衬底温度等工艺参数条件对以石英玻璃作基底制备的ITO薄膜的光电性能的影响。结果表明,在以石英为基底的氧化铟锡透明导电膜,在气压0.7Pa、溅射功率45 W条件下,基片温度为300℃,溅射时间为45min时,可见光透过率达83%,方块电阻达到5Ω左右。

不同基底的ITO薄膜制备及其光电性能

采用脉冲磁控溅射法在石英基底和柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)上分别制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)对不同基底上ITO薄膜的微观结构及表面形貌进行了对比分析,并且研究了溅射气压、溅射时间和衬底温度等工艺条件对不同基底上制备的ITO薄膜的光透过率和光电性能的影响。结果表明,相同工艺条件下,石英玻璃上ITO薄膜的最佳方块电阻为13.3Ω,可见光透过率为91%;PET上ITO薄膜的最佳方块电阻为15Ω,可见光透过率为85%。二者相比,石英基底上ITO薄膜的光电性能更佳,膜表面的致密度、均匀性更好。

PET衬底上ITO薄膜的制备及光电性能

用脉冲磁控溅射法在柔性衬底聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,研究了溅射气压、时间和衬底温度等工艺条件对ITO薄膜光电性能的影响,并采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)对薄膜的物相结构与表面形貌进行了分析。结果表明:薄膜的平均晶粒尺寸随衬底温度的升高而增大;当溅射时间增加时,方块电阻与光透过率均减小;当衬底温度升高时,方块电阻减小,可见光透过率增大。

原铝旋转偏析净化工艺原理及进展

旋转偏析是一种高效节能、环境友好的物理冶金方法。该方法具有杂质祛除效果好、提纯时间短、可实现工业规模化生产等优点,并且在日本的铝、硅提纯工业上得到广泛应用。使用该方法对工业原铝进行提纯,其提纯的纯度可以满足不同领域的需求。阐述了旋转偏析法的原理、工艺过程及提纯效果,总结了日本旋转偏析法从1984年至今的研究进展,并对我国偏析法提纯前景作出展望。

原铝旋转偏析法净化工艺

依据偏析法提纯原理,运用坩埚中存在稳定的温度梯度和减少富集层厚度特性,自行设计一台旋转偏析装置,利用该仪器对工业原铝进行大量的旋转偏析提纯实验。结果表明,净化铝在整个结晶过程中由内向外相当于一个定向凝固过程,共晶杂质由内向外不断排放而包晶杂质与其相反。同时该仪器在一定程度上可以降低共晶杂质的含量和相应的有效分凝系数,且随着转速的提高其提纯效果越明显。

Sn纳米粒子对AZ31镁合金组织和性能的影响

采用直流电弧等离子体法制备Sn纳米粒子,通过搅拌铸造的方法添加到AZ31镁合金当中。通过金相、扫描电镜和拉伸性能测试等技术,考察了添加不同量的Sn纳米粒子对AZ31镁合金铸态组织和力学性能的影响。结果表明,添加Sn纳米粒子可抑制共晶相以层片状析出,促进β-Mg_(17)Al_(12)相以骨骼状分布在晶界处。重要的是,观察到Sn纳米粒子在镁合金中生成了纳米尺寸的Mg_2Sn颗粒,但主要以颗粒团簇的形式存在。过量添加Sn纳米粒子,会使Mg2Sn纳米级颗粒团聚严重,降低AZ31镁合金的力学性能。结果表明,添加1%Sn(质量分数)纳米粒子,AZ31镁合金的力学性能最优。