使用频移反馈激光系统测量光学频率差

本文提出使用频移反馈激光系统测量光学频率差的新方法。实验测得一个Ｎｄ：ＹＬＦ激光器输出的两个纵模的频率差为３．７３３４４０ＧＨｚ，其精度为±５ｋＨｚ。

GaAs外延层蒸镀Cr和Au膜制作欧姆接触工艺

目前国内外在各种金属上电镀、蒸镀Ｃｒ或Ｃｒ、Ａｕ，是因为Ｃｒ耐磨损、抗腐蚀，与稀酸作用缓慢，与被镀件结合力强．有力地保护被镀件，提高被镀件的使用寿命。外延后的ＧａＡｓ衬底解理成激光器之前，要进行光刻，把镀在Ｐ型ＧａＡｓ外延片刻沟糟处的Ｃｒ去掉。本文介绍在ＧａＡｓ激光器的Ｐ型外延层上蒸镀Ｃｒ和Ａｕ的工艺及去除Ｃｒ的新工艺。

1.3微米铟镓砷磷大光腔半导体激光器

本文介绍了我们研制的1.3微米波长铟镓砷磷大光腔结构半导体激光器的制作及其部分主要光电特性。该器件由于采用大光腔结构,脉冲输出峰值功率大于5瓦,阈值电流密度低于2700A/cm^2工作寿命大于1000小时。

一种新型声光玻璃研究与研制

研制出了一种新型锗酸盐声光玻璃。与已报导的亚碲酸盐玻璃和重燧石玻璃的性能作了比较。我们的锗酸盐玻璃的声光品质因数优于重燧石玻璃。

L^2MCP可溶芯玻璃的研究

本文讨论了L^2MCP可溶芯玻璃的膨胀系数,软化点及SiO_2含量对溶解速率的影响。

半导体大光腔激光器的模式

用四层平板波导的理论:计算了我们研制的半导体大光腔激光器的模式。在给定条件下:可能存在四个模式。这个结果与以前的理论符合的很好。

高功率半导体激光器的军事应用及国内外状况

本文着重论述了近几年来半导体激光器的发展及在军事上的应用情况。例举了这种激光器在精确制导、引信、测距、雷达、通讯、模拟和泵浦固体激光器等方面的一些应用实例,并分析了这种激光器的国内外研究状况和发展前景。

CCD驱动电路的设计思想

本文论述CCD驱动电路的设计思想及单元电路的设计方法。

MOCVD生长前的衬底处理实验研究

本文通过实验研究,讨论了实验参数对衬底表面形貌和MOCVD生长样品质量的影响,与文献所给实验条件进行了比较。

水平式MOCVD系统生长速度均匀性的研究

本文讨论了影响生长速度的因素,如主载气流量、金属有机源流量(在一定蒸气压下),衬底放置位置,及掺杂和非掺杂情况等.对实验结果进行了计论,并与其它文献进行了比较.着重阐述了改善侧向均匀性问题.

国产MO源的GaAs、GaAlAs的MOCVD生长

本文报导了采用国产MOCVD装置和MO源材料生长GaAs、GaALAs多层结构的实验情况,探索MOCVD装置和MO源材料全部国产化的途径,初步获得比较满意的结果,为器件的研究奠定初步基础。

有注入情况下子凸波导激光器导引机制的讨论

本文提出在有注人情况下平凸波导结构的侧向导引机制为W波导。

1.55μm大光腔激光器

高功率1.55μm激光器长期以来一直为人们所重视和追求.本文通过合理设计,采用适宜的生长技术,首次成功地制备了大光腔结构,从而实现了脉冲输出功率高达2W以上的激光器.器件还具有阈值电流低(宽接触型结构的J_(th)≤2.7kA/cm^2),温度稳定性高(T_0≈130K)的特点,同时具有良好的光谱模式,是这一波段的理想光源.

液相外延生长超薄有源层Al_xGa_（1－x）As／GaAs分别限制双异质结构激光器

报道超薄有源层ＡｌｘＧａ１－ｘＡＳ／ＧａＡｓ分别限制双异质结构半导体激光器的液相外延的过程。讨论了过冷度、生长温度和降温速率等对生长速率的影响。扫描电镜测得生长温度为６８０℃时，ＧａＡｓ有源层厚度可低至２５～３５ｎｍ。宽接触分别限制双异质结构ＬＤｓ的室温连续阈值电流密度多在７００～８００Ａ／ｃｍ２。

列阵半导体激光器的噪声

重点报道列阵GaAs-AlGaAs激光器相对强度噪声的测量结果,并和单元器件作了比较.实验测量包括相对强度噪声和驱动电流、调制频率以及温度的关系,并验证了在这些情况下相对强度噪声在激光器处于阈值时具有最大值的理论予言.

滤紫外和红外光的荧光玻璃的研制及其应用

研制出了掺铈、钐的滤紫外和红外光的硼硅酸盐荧光玻璃．测试了该玻璃的吸收光谱和荧光光谱．并用其做了固体激光器工作物质的紫外和红外滤光套，能使激光效率提高２５％～５０％，从而促进固体激光器的微型化和实用化．