GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器

本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料 (GRIN—SCH—SQW )。利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率达到 1 0W ,峰值波长为 80 6～ 80

异质结构对半导体激光器输出特性的影响

异质结构是半导体激光器最基本也是最重要的结构。双异质结构实现了光和载流子的完全限制 ,使阈值电流密度大幅度下降。异质结构引进的带隙差可以实现高注入比、进一步降低了阈值电流 ,同时提高了输出功率。分别限制异质结构 ,波导层折射率的变化形式不同 ,直接影响输出光的远场分布。

分别限制量子阱激光器的载流子限制特性及漏电流

本文在数值求解分别限制量子阶激光器的光增益及阈值电流密度的基础上，计算和分析了漂移和扩散两种机制引起的漏电流对半导体激光器阅值电流密度的影响讨论了激光器的结构参数与漏电流的关系。计算结果和实验值进行了比较。

GalnAsP/GaAs半导体激光器远场特性研究

对用液相外延生长的GalnAsP/GaAs分别限制异质结单量子阱半导体激光器的远场分布特性进行了理论和实验分析。通过对三层平板波导、缓变波导及亥姆霍兹方程严格远场解三种理论的分析比较 。

漏光波导机制四元系半导体激光器

给出了漏光波导机制在四元系长波长半导体激光器中的一个应用实例。从理论上证明了漏光波导机制在四元系半导体材料中应用的可行性，并设计了相应结构的激光器件；然后由LPE技术获得这一器件。实践证明，理论和实验结果符合得很好。