TRIP800钢板疲劳性能研究

对厚度为1.8 mm的国产TRIP800 MPa钢板进行疲劳试验,并运用最小二乘法对试验数据进行拟合,获得了在对称循环应力下的疲劳经验公式。结果表明:TRIP800 MPa钢板在加载频率为8 Hz、R=0的条件下疲劳极限是560 MPa;TRIP800钢板的疲劳裂纹源位于表面下的夹杂物处,裂纹扩展区为韧性断裂,瞬断区为脆性断裂。

稻草制备SiC晶须

以废弃的稻草为原料,在1300～1400℃的氩气保护条件下制备SiC晶须。研究反应温度、反应时间、催化剂对SiC晶须制备的影响和反应机理。结果表明,SiC晶须在1350℃时生长最好;SiC晶须温度控制在1350℃左右为宜,采用先高温成核再低温保温的加热方式,反应时间控制在2h;碳化硅晶须主要以β型为主,同时含有少量α型SiC晶须。晶须以竹节状居多,晶须直径为10～200nm之间,长径比>10。用Fe粉和H3BO3作催化剂所生成的晶须较多,但其长径比较小。反应机理主要是VLS机理,以废弃稻草为原料制备SiC晶须为稻草应用提供了一种新的途径。

用稻草和硅粉合成碳化硅晶须

采用碳热还原法用废弃稻草和硅粉合成碳化硅晶须。通过扫描电镜、透射电镜观察晶须形貌,采用X射线衍射(XRD)仪对物相进行分析。结果表明:由稻草和适量硅粉合成的碳化硅晶须多为直晶、较光滑,晶须直径为20~100nm;晶体中含有孪晶等面缺陷。直接加热至1350℃和先升至1600℃再迅速降至1350℃的加热方式均能得到碳化硅晶须。先升至较高温度再降到较低温度有利于碳化硅晶须的生长。保温时间延长,晶须产量增大,晶须直径略有增大。晶须生长机理为气-液-固(VLS)机理。