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光放大器在空间激光通信中的应用研究
被引量:
2
1
作者
陈桂芬
尹福昌
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第z3期234-236,共3页
根据空间光通信的特点 ,通过理论分析 ,提出了把高功率掺铒光纤放大器、低噪声前置光纤放大器分别用于光发射机系统和光接收机系统。给出空间光通信发射机、接收机的原理框图及相应参数。
关键词
空间光通信
掺铒光纤放大器
光发射机
光接收机
下载PDF
职称材料
基于并口的I^2C总线模拟软件包开发及应用
被引量:
6
2
作者
刘智
杨精一
+1 位作者
李艳红
郝志航
《计算机测量与控制》
CSCD
2003年第4期295-298,共4页
提出了使用计算机并口口线来模拟I2 C总线 ,以实现对具有I2 C总线接口的器件进行调试的方法。详细介绍了I2 C总线的原理、使用注意事项和时序要求 ,讨论了用并口口线来模拟I2 C总线的具体实现方法和使用方法 。
关键词
I^2C总线
模拟软件包
软件开发
并行接口
计算机
串行总线
下载PDF
职称材料
超陡倒掺杂分布对超深亚微米金属-氧化物-半导体器件总剂量辐照特性的改善
被引量:
12
3
作者
王思浩
鲁庆
+2 位作者
王文华
安霞
黄如
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期1970-1976,共7页
分析了沟道中超陡倒掺杂和均匀掺杂两种情况下超深亚微米MOS器件的总剂量辐照特性,主要比较了两种掺杂分布的器件在辐照情况下的泄漏电流与阈值电压的退化特性.结果表明,在辐照剂量<500krad情况下,超陡倒掺杂器件的泄漏电流比均匀掺...
分析了沟道中超陡倒掺杂和均匀掺杂两种情况下超深亚微米MOS器件的总剂量辐照特性,主要比较了两种掺杂分布的器件在辐照情况下的泄漏电流与阈值电压的退化特性.结果表明,在辐照剂量<500krad情况下,超陡倒掺杂器件的泄漏电流比均匀掺杂器件的泄漏电流低2—3个量级;而在辐照剂量>500krad情况下,由于器件俘获的空穴量饱和,超陡倒掺杂的改善没有那么明显.但超陡倒掺杂的阈值电压漂移量比均匀掺杂的情况小约40mV.超陡倒掺杂有利于改善器件的总剂量辐照特性.文中还给出了用于改善器件辐照特性的超陡倒掺杂分布的优化设计,为超深亚微米器件抗辐照加固提供了依据.
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关键词
总剂量效应
超陡倒掺杂
泄漏电流
抗辐射加固.
原文传递
题名
光放大器在空间激光通信中的应用研究
被引量:
2
1
作者
陈桂芬
尹福昌
机构
长春理工大学电子系
长春
理
工
大学
光电
系
出处
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第z3期234-236,共3页
文摘
根据空间光通信的特点 ,通过理论分析 ,提出了把高功率掺铒光纤放大器、低噪声前置光纤放大器分别用于光发射机系统和光接收机系统。给出空间光通信发射机、接收机的原理框图及相应参数。
关键词
空间光通信
掺铒光纤放大器
光发射机
光接收机
Keywords
Free space optical communication EDFA Optical transmitter Optical receive
分类号
TP2 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
基于并口的I^2C总线模拟软件包开发及应用
被引量:
6
2
作者
刘智
杨精一
李艳红
郝志航
机构
长春
光学精密机械与物
理
研究所
长春
理
工
大学
电子
工
程
系
出处
《计算机测量与控制》
CSCD
2003年第4期295-298,共4页
文摘
提出了使用计算机并口口线来模拟I2 C总线 ,以实现对具有I2 C总线接口的器件进行调试的方法。详细介绍了I2 C总线的原理、使用注意事项和时序要求 ,讨论了用并口口线来模拟I2 C总线的具体实现方法和使用方法 。
关键词
I^2C总线
模拟软件包
软件开发
并行接口
计算机
串行总线
Keywords
parallel port
I 2C bus
simulation
software kit
分类号
TP311.52 [自动化与计算机技术—计算机软件与理论]
TP336 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
超陡倒掺杂分布对超深亚微米金属-氧化物-半导体器件总剂量辐照特性的改善
被引量:
12
3
作者
王思浩
鲁庆
王文华
安霞
黄如
机构
北京
大学
微
电子
学深圳研究院
长春
理
工
大学
微
电子
系
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期1970-1976,共7页
基金
国家自然科学基金(批准号:60836004,60625403)
国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2006CB302701)资助的课题~~
文摘
分析了沟道中超陡倒掺杂和均匀掺杂两种情况下超深亚微米MOS器件的总剂量辐照特性,主要比较了两种掺杂分布的器件在辐照情况下的泄漏电流与阈值电压的退化特性.结果表明,在辐照剂量<500krad情况下,超陡倒掺杂器件的泄漏电流比均匀掺杂器件的泄漏电流低2—3个量级;而在辐照剂量>500krad情况下,由于器件俘获的空穴量饱和,超陡倒掺杂的改善没有那么明显.但超陡倒掺杂的阈值电压漂移量比均匀掺杂的情况小约40mV.超陡倒掺杂有利于改善器件的总剂量辐照特性.文中还给出了用于改善器件辐照特性的超陡倒掺杂分布的优化设计,为超深亚微米器件抗辐照加固提供了依据.
关键词
总剂量效应
超陡倒掺杂
泄漏电流
抗辐射加固.
Keywords
TID effects
delta doping
leakage current
radiation hardeness
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
光放大器在空间激光通信中的应用研究
陈桂芬
尹福昌
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
2
下载PDF
职称材料
2
基于并口的I^2C总线模拟软件包开发及应用
刘智
杨精一
李艳红
郝志航
《计算机测量与控制》
CSCD
2003
6
下载PDF
职称材料
3
超陡倒掺杂分布对超深亚微米金属-氧化物-半导体器件总剂量辐照特性的改善
王思浩
鲁庆
王文华
安霞
黄如
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
12
原文传递
已选择
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