AuSn焊料预热温度对高功率半导体激光器封装质量影响的研究

为提高高功率半导体激光器封装质量,对AuSn焊料预热温度进行研究。通过分析AuSn焊料共晶原理,建立四组不同预热温度的AuSn焊料封装试验。通过对比不同预热温度下封装器件的光电参数,光谱特性及SEM检测效果,对实验结果进行分析。实验结果表明AuSn焊料的预热温度对高功率半导体激光器封装质量有重要影响,并得出AuSn焊料预热温度在235℃时高功率半导体激光器的封装质量最为理想。