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中短波镁锌铁氧体天线磁芯的研制
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作者 杨国本 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 1991年第2期54-61,共8页
本文对中短波磁芯进行了工业生产工艺的研究。研究表明,研制成功的 Mg-Zn 铁氧体天线磁芯,Q 值高,温度系数低,完全可以取代 Ni-Zn 铁氧体。其工艺范围宽(烧结温度为1190~1230℃),产品性能稳定,合格率高。本文对影响产品性能的因素进行... 本文对中短波磁芯进行了工业生产工艺的研究。研究表明,研制成功的 Mg-Zn 铁氧体天线磁芯,Q 值高,温度系数低,完全可以取代 Ni-Zn 铁氧体。其工艺范围宽(烧结温度为1190~1230℃),产品性能稳定,合格率高。本文对影响产品性能的因素进行了研究和分析,特别指出,在降温工艺中,炉温低于500℃以后要采用50~60℃/h 的降温制度。 展开更多
关键词 镁锌铁氧体 天线 磁芯 制造
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浮秤用硅应变片的工作特性及其安装
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作者 杨国本 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 1992年第2期43-47,共5页
本文论述了用于彩电滤波器铌酸锂单晶生长直径自动等径控制浮秤所采用的硅应变电阻传感器的工作特性,并对其安装工艺进行了实验研究,使采用硅应变片的浮秤的灵敏度达到K≥0.15mV/g,同时具有较高的稳定性。用于等径控制铌酸锂单晶体的生... 本文论述了用于彩电滤波器铌酸锂单晶生长直径自动等径控制浮秤所采用的硅应变电阻传感器的工作特性,并对其安装工艺进行了实验研究,使采用硅应变片的浮秤的灵敏度达到K≥0.15mV/g,同时具有较高的稳定性。用于等径控制铌酸锂单晶体的生长,获得了等径度为99.6%的性能优良的铌酸锂单晶。 展开更多
关键词 硅应变片 浮秤 安装 单晶体生长
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高性能永磁铁氧体的大规模工业生产技术
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作者 杨国本 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 1991年第2期41-46,共6页
前言为了使采用永磁铁氧体的直流永磁微特电机的效率更高,体积更小,同时输出功率更高,以及采用永磁铁氧体的音响设备性能更加宽频化,仿真化,对永磁铁氧体材料提出了更高的要求,即要求有高性能的永磁铁氧体磁体来满足上述应用场合的需要。
关键词 永磁铁氧体 工业生产 永磁材料
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彩电用RB11×12磁芯的试制
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作者 杨国本 《航天制造技术》 1990年第6期60-61,共2页
为实现彩电元器件国产化,试制RB11×12磁芯,其性能达到了日本同类产品的水平。一、配方及工艺1.配方:采用MX-400锰锌软磁铁氧体Fe2O<sub>3</sub> 55.60 mol%,MnO 25.10 mol%,ZnO 15mol%。其余附加成份,Cu;CaCO<su... 为实现彩电元器件国产化,试制RB11×12磁芯,其性能达到了日本同类产品的水平。一、配方及工艺1.配方:采用MX-400锰锌软磁铁氧体Fe2O<sub>3</sub> 55.60 mol%,MnO 25.10 mol%,ZnO 15mol%。其余附加成份,Cu;CaCO<sub>3</sub>及V2O<sub>5</sub> 0.05<sup>1</sup>Wt%。 展开更多
关键词 磁芯 RB11 软磁铁氧体 测试材料 民用标准 磁性参数 色口 部标准 料浆 技术指标
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CATV分配器四孔磁芯的试制
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作者 杨国本 《航天工艺》 1989年第5期4-9,共6页
LiTiZn—100铁氧体材料,经配方优选及工艺研究试验。确认,配方中各成份的作用;二次球磨达22h后L(μH)值可增加18%,Q值可增65%;制备料浆采用真空搅拌可比非真空搅拌的性能提高10~15%;烧结时产品自700℃缓慢降温,其Q值可比快速降温者高1倍... LiTiZn—100铁氧体材料,经配方优选及工艺研究试验。确认,配方中各成份的作用;二次球磨达22h后L(μH)值可增加18%,Q值可增65%;制备料浆采用真空搅拌可比非真空搅拌的性能提高10~15%;烧结时产品自700℃缓慢降温,其Q值可比快速降温者高1倍;四孔磁芯结构尺寸中的高度尺寸H值若增高50%则其Q值降低10%,L值增加30%以上。所制材料性能优于部标,特别是材料的TC高,1λd/μi小,Q高,属软磁铁氧体高频(f>10MHz)高Q材料,产品一致性好,合格率高,适于大规模生产。 展开更多
关键词 分配器 磁芯 铁氧体 共用天线
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酸铌锂单晶的极化工艺对晶体性能的影响
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作者 杨国本 《航天工艺》 1992年第4期22-26,共5页
电视机中频滤波器国产化用铌酸锂声表面波单晶(L·N)生长的极化工艺,直接影响到晶体的极化程度,晶体的极化程度直接影响到机电耦合系数k及介电常数ε_(33)最后影响到滤波器的出管率。经对极化电场、极化温度、升(降)温速率、极化时... 电视机中频滤波器国产化用铌酸锂声表面波单晶(L·N)生长的极化工艺,直接影响到晶体的极化程度,晶体的极化程度直接影响到机电耦合系数k及介电常数ε_(33)最后影响到滤波器的出管率。经对极化电场、极化温度、升(降)温速率、极化时间诸因素的优选,选定高温极化工艺,其主要工艺参数为:极化温度1180~1200℃;直流电场8~10mA/cm^2;保温时间0.5h;升(降)温速率:升温↑1180℃(速率100℃/h);降温↓~900℃(速率50℃/h);降温↓~600℃(速率100℃/h)。 展开更多
关键词 畴致功能器件 晶体滤波器 极化
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