列车制动摩擦材料研究进展

简单概述了各类列车制动摩擦材料的发展历史及现状；阐述了它们各自的性能和特点，并据此分析了它们的适用条件与范围。

新成形剂中低分子量组分的热脱脂研究

对硬质合金挤压棒中新成剂低分子量组分的热脱脂行为及其机理进行了研究。脱脂温度达２４０℃时，其低分子量组分基本脱除完毕，剩下的约５％（重量比）与高分子共聚物组分一起要在更高的温度下才能脱除。绝大部分低分子量组分在成形剂中以单独相存在，而只有约５％与共聚物互溶，成为另一相。

有限深球方势阱研究Au纳米粒子自组装体系的I-V特性

本文在量子点的球方阱模型基础上，利用转移哈密顿法计算了纳米粒子自组装体系电子的跃迁几率．在此基础上，通过求解电子跃迁的主方程即可得到该体系的隧穿电流与偏压的关系．

材料的基础性质和多体合金哈密尔顿实时模拟数据库

本文采用元素周期表在计算机网上给出了基本材料的性质。这些性质均可按索，使用者可找出感兴趣的性能，并查寻哪种材料具有所描述的性质．而且末数据库还能进行多作哈密尔顿的实时模拟．所以，理论上讲，任何材料的重要性能，如结构，晶格常数，结合能等均可由此获得．

半导体纳米粒子的电容

用简谐势描述量子点中电子所受的约束 ,通过简谐势模型利用自洽迭代的方法计算了Cd S、Pb S等半导体纳米粒子的充电电容 ,从而找到了其在室温下形成单电子器件的最大粒径 .

单电子器件的仿真

该文介绍了一种利用正统理论与 Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法模拟单电子隧穿器件的仿真程序。该程序可模拟电子通过包含小隧道结、电容和理想电压源的电路的输运过程。利用该程序，对单库仑岛和多库仑岛的单电子晶体管（ＳＥＴ）系统进行了模拟。

纳米器件特性的计算机模拟

随着微细加工技术与纳米科技的发展 ,纳米器件必将成为下一代集成电路的基础。纳米器件模型的建立与计算机模拟对于实验有着重大的指导意义。文中综述了纳米器件的几种输运模型及其模拟结果 ,并对纳米器件物理模型及其辅助设计提出了设想。

预非晶化离子注入对硅p^+n结性能的影响

用Ｓｉ＋／Ｂ＋、Ａｒ＋／Ｂ＋双注入结合快速热退火技术制备出了较浅的ｐ＋ｎ结，用四探针法、扩展电阻法、背散射沟道谱、二次离子质谱等测试分析手段研究了Ｓｉ＋或Ａｒ＋预非晶化离子注入的作用。结果表明，适当条件的Ｓｉ＋预非晶化注入能有效地抑制硼原子的沟道效应，用Ｓｉ＋／Ｂ＋双注入制备出了高硼原子电激活率的Ｐ＋薄层，且电性能优良，残留二次缺陷少，ｐ＋ｎ结二极管反偏漏电流仅２．０ｎＡ／ｃｍ２（－１．４Ｖ）；而Ａｒ＋注入虽然也能抑制硼原子注入沟道效应，但它使注入硼原子电激活率低，制得的Ｐ＋薄层性能差。

Au纳米粒子的束缚能

利用从头计算法计算了一定粒径下Au纳米量子点的谐振子束缚能的大小。根据对波函数的分析发现 ,谐振子势是描述量子点的一个较好的势模型。

InGaAs/InAlAs RTD I-V特性的量子力学隧穿模拟

本文通过数值求解含时Schrodinger方程得到了InGaAs/InAlAs共振隧穿二极管 (RTD)的电流 偏压曲线 ,我们发现数值模拟的结果与实验符合得很好。

半导体量子点的电容

当电子数目很少时 ,用简谐势来描述量子点中电子所受的约束是一种很准确的近似。文章利用量子力学中的少体理论方法研究了二电子系统和三电子系统的行为。少体理论可以把质心运动和相对运动分离 ,从而得到精确的数值解。利用单个电子在量子点中的基态波函数的束缚行为 ,选择了量子点的束缚能。通过对CdS、PbS等半导体纳米粒子的充电电容的计算找到了其在室温下形成单电子器件的最大粒径。

CdS纳米粒子自组装体系室温单电子现象的计算机模拟

对形成室温单电子现象的典型串联双隧道结结构模型利用温克布 (WKB)三氏法求解薛定谔方程 ,计算了其隧穿电流与偏压的关系。利用该方法对 Cd S纳米粒子自组装体系在室温下的 I- V特性进行了计算机模拟 ,发现结果与实验符合得很好。该方法对于进一步指导纳米电子器件的实验及其原型化有重要意义。

Au纳米粒子自组装体系的数值模拟

本文对形成室温单电子现象的典型隧道结结构模型利用 WKB方法求解薛定谔方程计算其隧穿电流与偏压的关系。本文利用该方法对 Au纳米粒子组装体系在室温下的 I- V特性进行了计算机模拟 ,发现结果与实验符合得很好。该方法对于进一步指导纳米电子器件的实验及其原型化有重要意义。

基于量子元胞自动机的逻辑电路

简述了量子元胞自动机 (QCA)的理论及其逻辑电路的实现方式。每个量子元胞包含两个电子 ,它们通过库仑相互作用与邻近元胞耦合。每个量子元胞上的电荷分布趋于沿两垂直轴的某一轴向分布 ,可以以此来表达二进制信息。

CdS纳米粒子自组装体系I-V特性的数值模拟

对形成室温单电子器件的典型串联双隧道结结构模型利用求解含时薛定谔方程计算了其隧穿电流与偏压的关系 .对 Cd S纳米粒子自组装体系在室温下的 I- V特性进行了计算机模拟 ,结果与实验符合得较好 .

Si^+/B^+双注入单晶硅的快速热退火

用四探针法、扩展电阻法、背散射沟道谱和二次离子质谱等测试分析手段研究了Ｓｉ＋ ／Ｂ＋ 双注入单晶硅的快速热退火行为。结果表明：Ｓｉ＋ 预非晶化注入能有效地抑制注入硼原子的沟道效应；快速热退火Ｓｉ＋ ／Ｂ＋ 注入样品，其注入损伤基本消除，残留二次缺陷少，硼原子电激活率高；优化与控制快速热退火条件和Ｓｉ＋ ／Ｂ＋ 注入参数，制备出了电学特性优良的浅ｐ＋ ｎ 结，其二极管反偏漏电流仅为１．９ ｎＡ·ｃｍ － ２（－ １．４Ｖ）。

高能Ar^+注入对P^+薄层特性的影响

研究了高能Ａｒ~＋注入对Ｐ＋薄层特性的影响。结果表明，正面高能Ａｒ+注入能在有源区下隐埋一层缺陷带，可有效地净化表面有源区。用高能Ａｒ+／Ｂ+注入制备出了反向漏电流仅１．９ｎＡ／ｃｍ２（－１．４Ｖ）的二极管。

单电子器件I-V特性的半经曲拟合

本文在单电子器件半经典的双隧道结模型的基础上 ,通过对主主程的数值求解 ,对 Au纳米粒子组装体系的库仑台阶现象进行了拟合 .

二维纳米点阵列的Monte-Carlo模拟

介绍了一种利用标准单电子隧穿理论与Monte Carlo方法模拟二维量子点阵列的程序 .数值计算结果表明 ,二维量子点阵在低温下有库仑充电行为 。

二维纳米点阵列的主方程模拟

介绍了一种利用正统理论与主方程方法模拟二维量子点阵列的程序。数值计算的结果表 明二维量子点阵在低温下有库仑充电行为 ,其量子功能作用使它显示出可喜的研究价值和应用 前景。