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用联氨法工艺制备的PbS红外探测器在引爆系统中的应用
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作者 周伯勋 周琰 《红外技术》 CSCD 北大核心 1999年第2期45-48,共4页
通过对联氧法工艺技术的研制、试验和应用,提出单元硫化铅红外探测器只要不断改进生产工艺方法和不断提高质量水平,在现代高技术武器装备中仍起着重要作用,有重要实用价值。
关键词 联氨法工艺 红外探测器 引爆系统 武器装备
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联氨法器件的特性分析及其在武器系统中的应用
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作者 周伯勋 周瑜 《航空兵器》 1998年第6期15-18,44,共5页
通过对联氨法工艺技术的研究、试验和应用,认为单元硫化铅红外探测器(PbS)只要不断改进生产工艺方法和提高质量水平,在现代高技术武器装备中仍会起重要作用,仍有重要实用价值。
关键词 联氨法 红外探测器 引爆系统 武器系统 导弹
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电子计算机在现代武器装备中的应用
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作者 周伯勋 周琰 《航空兵器》 1998年第2期43-45,共3页
概述了电子计算机在武器装备中的作用和地位,指出21世纪初的武器装备是以电子计算机为核心的高技术,未来战争模式是以争夺信息占有权为主的信息战。计算机技术已成为武器装备和战争战斗力的倍增器。
关键词 电子计算机 武器装备 模拟 仿真
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室温InAsSb长波红外探测器的研制 被引量:6
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作者 高玉竹 龚秀英 +2 位作者 吴广会 冯彦斌 方维政 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1751-1754,共4页
用熔体外延法(ME)生长出厚度达到100μm的InAsSb外延层,截止波长进入8~12μm波段。测量结果表明,InAsSb材料具有良好的单晶取向和结晶质量,位错密度达到104cm-2量级。室温下,霍尔测量得到的载流子浓度为1~3×1016cm-3,电子迁移率... 用熔体外延法(ME)生长出厚度达到100μm的InAsSb外延层,截止波长进入8~12μm波段。测量结果表明,InAsSb材料具有良好的单晶取向和结晶质量,位错密度达到104cm-2量级。室温下,霍尔测量得到的载流子浓度为1~3×1016cm-3,电子迁移率大于5×104cm2/Vs。用此材料制得了2~9μm波段的高灵敏度In-AsSb室温红外探测器。该探测器为浸没型光导元件,安装了镀有SiO或ZnS增透膜的单晶Si光学透镜。在黑体温度为500K、黑体调制频率为800 Hz和外加偏置电流为10 mA的测试条件下,测得293K下该探测器的最高黑体响应度达到168V/W,黑体探测率为2~6×108cm·Hz1/2·W-1,峰值探测率大于1×109cm·Hz1/2·W-1。 展开更多
关键词 室温探测器 INASSB 红外材料 黑体探测率
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