A_3M_2Ge_3O_(12)石榴石体系中Cr^(3+)离子的宽带发射光谱

首次报告在Ａ３Ｍ２Ｇｅ３Ｏ１２∶Ｃｒ（Ａ＝Ｃｄ２＋，Ｃａ２＋；Ｍ＝Ａｌ３＋，Ｇａ３＋，Ｓｃ３＋）锗酸盐石榴石体系中，Ｃｒ３＋离子室温下的红—近红外（Ｒ—ＮＩＲ）宽发射带光谱性质。随位于八面体格位上的Ａｌ３＋→Ｇａ３＋→Ｓｃ３＋和十二面体格位上的Ｃｄ２＋→Ｃａ２＋组成顺序变化，室温下，Ｃｒ３＋离子的４Ｔ２→４Ａ２能级跃迁的Ｒ－ＮＩＲ宽发射带，发射峰及光谱的长波和短波边逐渐向低能长波边移动。这是由于晶场强度减弱，阳离子的离子半径增大的结果。在镉（钙）铝和镉（钙）镓锗酸盐体系中，少量Ｓｃ３＋取代八面体上的Ａｌ３＋和Ｇａ３＋时，可使Ｃｒ３＋的Ｒ－ＮＩＲ荧光发射强度增强。

掺杂Gd^(3+)对Y_2O_2S:Eu^(3+)发光特性的影响

在红色荧光粉Ｙ２Ｏ２Ｓ。Ｅｕ３＋的制备过程中掺人了不同浓度的Ｇａ２Ｏ３发现在掺入适当浓度的Ｇａ２Ｏ３的情况下．可以增强发射强度并改善其电压特性，即在保证所要求的发光颜色、粒径和其它物理及化学特性的条件下．可改善发射强度与激发电压间的关系．讨论和分析了发射强度被增强的起因．Ｇａ３＋对Ｙ３＋的置换，减少了因Ｅｕ３＋对Ｙ３＋置换所引起的晶格的畸变，从而减弱了无辐射过程及因晶格畸变所造成的能量损失．这样，Ｅｕ３＋离子晶场环境的改善，增强了Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ３＋阴极射线发射光谱中主发射峰６２６ｎｍ，７０４ｎｍ的发射强度．