水热合成Zn1-xCrxO稀磁半导体晶体

采用水热法,以3mol/L NaOH作为矿化剂,在260℃下,保温28h进行Cr合金化(x=0.10,0.15,0.20,0.25),合成Zn_(1-x)Cr_xO稀磁半导体晶体.研究了Cr合金化对水热合成Zn_(1-x)Cr_xO稀磁半导体粉体结构和性能的影响.XRD测试表明,Cr元素进入到ZnO的晶格内,实现了Cr的合金化,晶粒尺寸分别为46.5、46.1、50.6和48.9nm.从FE-SEM可以观察到,x≥0.2时,晶体的形貌从短柱状转变为长柱状.通过UV/Vis测试可以观察到Cr离子的吸收峰,ZnO的禁带宽度依次降低为3.17、3.18、3.19和3.23eV.VSM测试表明,所制备的Zn_(1-x)Cr_xO纳米晶体在室温下均表现出弱顺磁性.

二氧化铪(HfO_2)薄膜制备的研究进展

随着集成电路的迅速发展,高K值柵介质材料将成为下一代MOS器件最具有希望的候选材料,HfO2具有宽带隙和高介电常数而备受关注。本文简述了HfO2薄膜的制备方法及研究进展。