正向衰减电压与载流子寿命的关系

本文研究了不同结构工艺参数的电力半导体器件正向衰减电压与器件在大注入、中注入、小注入条件下,体内载流子有效寿命的关系。为在各种不同注入水平下载流子寿命的测试与分析提供了理论和实验依据。

DH-16型分布式计算机控制系统的设计与应用

本文论述了针对某厂9m井式渗碳炉渗碳全过程自动化而设计的两级微计算机集散控制系统,详细介绍了硬件配置及特点,并给出了软件框图。由于此系统的通用性、灵活性和高可靠性,因此它也适用于一大类工业过程的综合控制。经实际运行结果表明,系统性能良好,取得了满意结果。

面向对象的设计方法与计算机辅助控制系统设计

面向对象的设计方法—OOP(Object—Oriented Programming)以将现实世界进行自然模拟化并将其在计算机里直接表现出来,作为克服软件复杂性的手段,从而提高了问题求解/信息处理能力,同传统的设计方法相比,在观念方法论,理论及应用等方面,OOP都呈现了一个崭新的世界;另一方面,控制理论的深入研究以及现代工业过程控制的大规模发展又以其自身的日趋增加的复杂性向CADCS提出了挑战。本文探讨了OOP方法及其特点,分析了控制系统对CADCS的需求,并以OOP方法为支持,给出了一个CADCS的C^(++)实现示例。

居民区供水系统的调查分析及两种新型供水控制系统

本文分析了居民区供水与一般工农业供水的不同点及保证供水效果的条件,并对西安市现有供水系统从理论到实际进行了多方面的分析,指出了存在的问题和改进方向,认为采用无级调节泵容量的方法对居民区供水可获得最佳节电效果;文中介绍了所研制的两种新型全自动无塔无罐型居民区供水系统,及水泵电气传动调速方案的选择。

双单片机控制全数字化高性能直流调速系统

本文提出一种高性能直流调速系统。整个系统采用双单片机控制,结构简单,成本低,并实现了全数字化。实验结果表明,系统获得了优良的静、动态特性。

系统辨识思想在串联晶闸管换流阀故障诊断中的应用

高压直流输电用晶闸管换流器的阀臂由多个晶闸管串联构成,长期以来这种换流阀的故障诊断问题一直没有得到很好地解决。本文应用系统辨识的思想提出了一种全新的办法,较好地解决了这一难题,并对文中提出的故障诊断方法,讨论了诊断系统的实现问题。

炼钢控制系统的功率检测环节

本文论述了炼钢控制系统的功率检测原理,分析了它的乘法电路和接口电路,并在提高检测精度、提高响应速度及抗干扰等方面提出了措施,最后结合具体测试数据进行了分析。

计算机控制系统与主电路隔离的几种方法

为了保证计算机控制系统运行的可靠性,一般情况下都考虑将其与主电路隔离。本文介绍了三种采用光耦合隔离的方法。与传统的方法比较,它们具有体积小、能简化电路、抗干扰能力强等优点。这些隔离方案均已用于科研中,并取得了良好的效果。

放射性同位素测定土壤含水量的微机测量及数据处理系统

本文介绍了微计算机在利用γ—透射法量测土壤水份含量中的应用方法。主要说明了γ—透射法的原理;微计算机测量及数据处理系统的组成;对采集数据进行预处理的算法和应用程序的结构设计。

控制向量有界的二阶数字系统时间最优控制方法

本文提出一种对控制向量有界的二阶数字系统求最短时间控制序列的方法。它是在连续系统Bang-Bang原理基础上推出的。此方法首先对所讨论的系统导出线性区、多边形标线及线性带;再将系统线性带外的点推至线性带内,继之由线性带内推至多边形标线上;最后推至平衡点。此方法对于二阶数字最优控制系统求最短时间控制序列是一个很有效的简便方法。

GTR电流增益的二维数值分析

在二维数值分析的基础上讨论了引起ＧＴＲ电流增益在大电流工作条件下降低的几个主要因素．认为要保持较高电流增益应以提高发射效率为主．提出了一种改善ＧＴＲ电流增益的多晶硅发射极结构．模拟结果预言了这种结构的有效性．

功率VDMOSFET的优化设计

本文推导出在外延层穿通击穿情况下均匀掺杂外延层电阻率和厚度的关系式及使外延层理想比电阻达到最小值时电阻率和厚度的精确表达式.文中揭示了VDMOSFET 以往设设中存在的问题.提出了整体优化的方法并考虑了终端的影响.

采样信号的Z变换与其拉氏变换

本文证明了采样信号的拉氏变换等于零,并给出了采样信号与其冲激模型等效的条件。

VDMOS击穿电压与导通电阻的最佳设计

本文利用场限环理论和消除寄生晶体管效应等措施,提出了保证在原胞区击穿电压不降低的前提下,VDMOS导通电阻R_(on)及其结构参数的最佳设计方法。与以往的方法相比,具有使BV_(DS)容量和R_(on)值之间获得统筹考虑的优点。

非晶硅敏感器件研究进展

非晶半导体材料由于制备工艺较简单,成本低且具有不同于晶态半导体的特殊的电学和光学性质,已成为发展半导体敏感器件一个新的动向.作为一种新型的电子材料,由硅烷辉光放电制备的氢化非晶硅(a-Si:H)膜是非晶半导体的典型代表.这是因为α-Si:H膜通过掺杂能够形成PN结,即能够实现价电子的控制.因此。

二极管的计算机辅助设计

本文以PIN 二极管为例,采用一维模型,用数值分析方法计算了二极管的正、反向J-V 特性,并与用解析表达式计算的结果进行比较,揭示了以往器件设计中的局限性,同时还提出了此方法在器件设计与制造中的应用前景.

采样信号的频谱

本文指出采样信号的频谱等于零,并分析了采样点上的连续函数。

开关式PID的原理与应用

本文提出了开关式PID的控制律.并给出了给定值作大幅度变化下的算法以及用微机实现该算法的程序流程。

非晶碳化硅薄膜的制备方法及光学性质

本文介绍了为开发大面积非晶碳化硅发光器件而研制的等离子体辉光放电淀积装置及非晶碳化硅薄膜的淀积方法,以及利用透射光谱同时测量薄膜厚度与光学常数的方法,并对生长薄膜的光学性质利用吸收光谱和场致发光谱进行了讨论。

场限环电场分布的有限元分析

矩形场限环在器件反偏时的最大电场总是集中于四角，因而求解柱坐标下极角α不变的泊松方程可使场限环三维电场分布的讨论大为简化．在此基础上用有限元法对三场环结构的电场分布进行模拟，并对结构参数进行了优化分析．环电位随外加电压而变化的模拟结果与实验结果相吻合，表明了简化模型和分析方法的正确性和实用性．