氧化多孔硅隔离技术研究

我们对多孔硅氧化隔离技术进行了初步的实验研究.用SEM对PSL进行了观测.针对所出现的沟道漏电现象,采用了在热氧化之前于N_2中热处理的消除漏电方法.对OPS隔离性能的测量结果表明,与常规PN结隔离相比,击穿电压有了很大提高,漏电流也降低了一个数量级.

产品质量初探

依据质量的定义,分析了产品质量的内涵,阐述了对产品质量定义的理解,同时,对产品质量的全过程,产品质量无止境,及产品质量的社会性等,进行了探讨。

创造高质量 迎接新挑战

阐述了迎接复关的意义,分析了我国目前的质量形势,探讨了重返《总协定》缔约国地位的基本对策。

质量审核工作初探

结合实际探讨了开展质量审核工作的方法。主要内容:(1)审核工作概况;(2)审核的特点;(3)审核的分类;(4)审核的权限;(5)审核的程序。

HgCdTe中特征正电子湮没寿命值的确定

提出了一种新的在热平衡状态下实时测量碲镉汞（ＭＣＴ）中特征正电子湮没寿命的方法，用该方法测得ＨｇＣｄＴｅ中基体正电子湮没寿命τｂ为２７７±１Ｐｓ，汞空位缺陷捕获态寿命τｄ为３０６±２ｐｓ，并与用其它方法测量的结果进行了比较与讨论．

军用电子设备的防护技术

介绍了军用电子设备防护的目的和意义，并介绍了防护材料选择的原则以及三防涂覆、加固、灌封、散热等防护技术。

绝缘导热灌封硅橡胶的应用

介绍了绝缘导热橡胶研究的目的和意义，以及以有机硅橡胶和氧化铝复合制成的绝缘导热灌封硅橡胶的物理机械性能、耐环境老化性能和散热应用效果。

BeO陶瓷基片的抗折强度分析

采用三点弯曲法测试BeO陶瓷基片的抗折强度，对样品的显微结构进行了分析，发现呈现过烧显微结构的样品，抗折强度较低。

集成电路静电损伤的失效分析

静电损伤双极肖特基ＴＴＬ接口电路，失效的隐蔽性很大，对高可靠的电子设备固有可靠性带来了潜在性的危害。通过对静电损伤失效的接口集成电路的失效分析，系统地介绍了静电损伤的机理、失效分析技术、静电分布和防静电措施。

GaAs衬底上强介质BaMgF_4膜的形成

研究了GaAs衬底上形成强介质BaMgF4膜的最佳条件，在BaMgF4源的真空蒸发中已经发现低温淀积和随后的高温退火的结合对于形成不含BaF2和MgF2晶体的BaMgF4膜是有效的。最佳淀积温度和退火温度分别是300℃和600℃C，描述了最佳膜的结晶性和电特性。

军事领域计算机病毒攻防策略初探

由于计算机病毒与生物病毒有许多相似的特征，国际上已有国家把它作为未来武器进行研究。对病毒武器“攻’和。防”一般策略作了筒单介绍，着重叙述了作者的粗浅认识一以供参考。

国内外印制电路技术的发展

介绍国内外印制电路技术的最新发展，旨在为计算机设计师提供最新技术信息并纠正某些错误的看法。介绍了８种印制板的特点，对热风整平技术也作了说明。

大功率HIC组装封装工艺研究

简要叙述了大功率混合集成电路(HC)组装、封装过程出现的工艺技术问题及解决途径。通过制造厚膜电阻基片,背面金属化、锡焊、粗线压焊、管壳结构设计、封装等方面的研究和实验,研制出了十余种大功率混合集成电路,满足了型号任务的需要。

阻尼印制板粘接工艺的研究

选用环氧树脂等几种粘接剂，对阻尼印制板采用粘接工艺，使得计算机的整体结构紧凑，减震效果显著。针对粘接工艺的研究及实验结果进行了分析，并对几种材料和粘接剂分别进行了剥离、剪切强度试验。

旋转式冰箱压缩机辐射噪声的计算与实验研究

从Helmholtz积分方程入手,首先采用边界元法(BEM)离散积分方程,然后通过旋转式冰箱压缩机壳体表面的振动速度场来计算其向外辐射的噪声场,比较全面地讨论了压缩机辐射声场的数值计算模型、压缩机壳体表面振动速度场与辐射声场的测试,并将BEM法计算结果与实测结果进行了对比,两者基本吻合。最后简要指出了造成误差的原因。