超高温退火(1400℃)对SIMOX结构性能的影响

本文着重研究了1400℃超高温退火对SIMOX结构的影响,并与常规的高温退火(1100℃)进行了对比。实验结果表明:超高温退火能显著地改善Si-SiO_2界面特性。消除顶部硅层中的氧沉淀缺陷。但同时,超高温退火也给SIMOX带来了硅片形变、滑移、顶部硅层中氧含量高等新问题。

两步退火对SIMOX结构形成的影响

本文通过卢瑟夫沟道背散射(RBS/Channeling)及透射电子显微镜(TEM)研究了SIMOX结构的低、高温两步退火形成。实验结果表明:通过两步退火可以获得顶部硅层中无氧沉淀缺陷的、硅与二氧化硅界面较为突变的SIMOX结构。本文也讨论了在两步退火期间,SIMOX结构形成的物理过程。

SIMOX结构的低温(550℃)退火形成

本文研究了低温(550℃)退火对于SIMOX结构形成的影响。实验中发现:低温退火制备的SIMOX结构与高温(1100℃)退火制备的有明显不同。通过低温退火,可以获得质量优于高温退火的顶部硅层。低温退火可以避免在顶部硅层中氧沉淀及延伸位错等缺陷的形成。本文还讨论了退火期间SIMOX结构的形成过程。

Transputer单片微计算机的设计特点

Inmos 公司开发的单片微计算机Transputer 将硬件结构设计与软件语言开发融合在一起,这使得T414(32位Transputer)具有较高的单位芯片面积数据吞吐率及良好的并发操作支持.这种设计策略已引起广泛注意.这里从设计策略,指令集合及体系结构几方面讨论其设计特点.

RLSC技术分析

本文以指令周期、存取访问、控制结构、指令格式、环境更换以及流水优化等六个方面对RISC 技术进行了分析.

“VLSI系统设计”专辑出版前言

1985年10月,以美国张肇健教授为首的科学访问团,在西安与长沙作VLSI 学术交流时,一再热情地建议,由中美双方共同创办一个有关VLSI 研究的刊物,以介绍与促进这种先进技术的交流与发展。由于VLSI 技术对许多工业的发展有着重大的影响,被人们称作“工业的面包”(bread of industry)。因此,创办这样一个刊物是十分有意义的。一年多来,在中美双方的共同努力下,邀请国内外的有关学者专家,组成了编委会,同时开展了约稿工作。在张肇壮博士的大力支持下,稿件征集工作进行十分顺利。为了能尽快地与广大读者见面。先通过《微电子学与计算机》以“VLSI 系统设计”专辑出版,然后再申请转为独立的VLSI 刊物。我们希望“VLSI 系统设计”专辑符合我国微电子学技术发展的需要,并成为广大科技人员的喜爱读物;在国内外学术交流中能起桥梁作用,通过它使国内VLSI 研究的风气浓厚起来,尽快达到世界先进水平。