均匀沉淀法制备高性能催化燃烧式甲烷传感器

为了提高催化燃烧式甲烷传感器的性能,以介孔SBA-15作为载体,采用均匀沉淀法制备具有不同Pd担载量的敏感材料。通过XRD和氮气吸脱附表征材料的组成及结构,并以该材料构筑敏感元件,研究其气敏特性。与传统浸渍法合成的Pd/γ-Al2O3相比,Pd/SBA-15对于甲烷具有更加出色的敏感特性,这主要源于其高比表面积、小而均一的Pd颗粒以及多孔结构使Pd/SBA-15上的活性位点与甲烷气体之间产生高效的界面反应。

PWM/PFM混合控制DC-DC变换器芯片的设计

结合脉冲宽度调制(PWM)和脉冲频率调制(PFM)功率损耗特点,提出了一种降压型PWM/PFM混合控制DC-DC变换器芯片的电路结构,大大提高了全负载范围转换效率。重点讨论了混合控制策略和PWM/PFM切换电路的设计。Hspice模拟仿真结果验证了设计的正确性。

Poly-SiTFT有源驱动OLED单元像素电路的参数设计

根据有机电致发光显示器件(OLED)的发光特性及多晶硅薄膜晶体管(Poly SiTFT)的工作特性, 对Poly SiTFT有源驱动OLED的源极跟随型双管单元像素驱动电路进行了理论计算和模拟仿真, 确定了单元像素中的各种器件参数; 通过AIM Spice的模拟仿真了整个像素电路工作状态, 对器件参数进行了优化.

Nb-In复合氧化物氯气传感器的研制

以In(NO3)3、Nb2O5、氨水为原料,采用化学沉淀法制备了不同Nb-In比的复合氧化物纳米材料.通过不同温度(500℃-800℃)烧结得到了不同的Nb-In复合氧化物材料.利用X射线衍射仪对材料的晶体结构进行了表征并估算粒径大小.利用这种材料制备管式厚膜气体传感器.研究表明,元件在温度为100℃时对50×10-6Cl2表现出较高的灵敏度(7900)和较好的选择性,元件对Cl2的检测下限为0.2×10-6,加热功率为130mW.最后,对其敏感机理进行了分析.

固体电解质硫化氢气体传感器的特性研究

采用溶胶-凝胶法制备NASICON(钠离子导体)固体电解质及镍/钛复合氧化物材料。并以NASICON为离子导电层,镍/钛复合氧化物为敏感电极制作固体电解质硫化氢气体传感器。在260-380℃温度范围内,以镍/钛复合氧化物为敏感电极制作的器件对1.10-6～100.10-6硫化氢具有良好的敏感特性。在320℃时器件的灵敏度(斜率)为-72.4mV/decade。并且器件具有良好的选择性、抗湿性及响应恢复特性。器件对5.10-6,50.10-6硫化氢的响应时间为10s,4s和20s,40s。最后对器件的敏感机理做了分析。

CO-C7H8双功能一体化固体电解质气体传感器的研制

采用溶胶-凝胶法合成NASICON固体电解质,并以NASICON为基体材料,Y2O3及ZnTiO3为敏感电极制作管式CO-C7H8双功能一体化气体传感器。研究表明,在350~450℃时,CO及C7H8浓度在（5~50）×10^-6体积分数范围内,器件的EMF值与CO和C7H8浓度的对数分别呈现较好的线性关系。器件在400℃时对CO和C7H8的灵敏度分别为-40和64mV/decade。并且器件在此温度下表现出较好的选择性和响应恢复特性。

准分子激光选择CVD技术的SnO_2薄膜图形生长及微透镜制作

准分子激光ＣＶＤ由于紫外光参与并促进了其源分解，所以对激光光束具有很强的选择性从而可以实现图形转换和直接图形生长，我们利用这一特点在自己建立的准分子激光选择ＣＶＤ系统上得到了ＳｎＯ２薄膜生长速率与激光能量密度间的关系曲线，并玻璃和Ｓｉ衬底上实现了ＳｎＯ２薄膜的宽约８０μｍ条伏和面积１００×１００μｍ２方形图形生长，同时也在Ｓｉ衬底进行了微透镜制作的尝试，获得了半径约４５μｍ近高斯分布的ＳｎＯ２，薄膜，其中心最大厚度约９７０ｍｍ。

新型固体电解质SO_2传感器的研制

以sol-gel法制备的NASICON（Na3Zr2Si2PO12）为基体材料，掺杂了V2O5的TiO2为辅助电极材料，制备了一种管式结构的固体电解质SO2传感器。当工作温度为300℃时，以V2O5与（V2O5＋TiO2）的质量比为5％的材料为辅助电极材料时，传感器对体积分数为（1～50）×10^-6的SO2表现出了较好的气敏性能，传感器的电动势E值与SO2浓度的对数呈很好的线性关系，传感器的灵敏度为78mV／decade。同时，传感器对50×10^-6的SO2的响应恢复时间分别为10s和35s，且有较好的选择性。

NiO基厚膜NO2传感器的研制

文中分别以化学沉淀法、柠檬酸法和均相沉淀法制备了NiO纳米材料,通过XRD方法对所制备材料的晶体结构进行分析表征。并以上述不同方法制备的NiO为基体材料,Cr_2O_3、WO_3为掺杂剂制作了电导型厚膜NO_2气体传感器。研究了工作温度、掺杂剂等对器件气敏性能的影响。结果表明:掺杂WO_3的NiO基厚膜传感器对NO_2有较高的灵敏度、良好的选择性及响应特性,并且对器件的敏感机理做了初步的分析。

WO_3-NiO复合氧化物的微乳法合成及其Cl2敏感特性

采用Triton X-100为表面活性剂,正己醇为助表面活性剂,环己烷为油相配制微乳液,利用微乳液体系制备了WO3-NiO复合金属氧化物,并对其进行了电感耦合等离子体质谱(ICP MS)、X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)以及氮气吸附-脱附的表征。为了进行对比,利用固相混合法制备了WO3-NiO样品,其WO3含量与微乳法制备的样品相同。对比评价了两种复合氧化物对氯气的敏感特性,发现其都呈现P型半导体特性,在250℃时,微乳法制备的样品比固相混合法制备的样品的灵敏度高100倍。

NASICON固体电解质气体传感器的研究进展

采用高温固相法、溶胶-凝胶法制备了NASICON固体电解质材料,并利用XRD、IR、Raman、SEM等现代分析手段对NASICON材料进行了分析表征,优选出NASICON材料制备的工艺条件。对制备不同检测气体所需的敏感电极材料组份及制备方法进行了比较系统的研究。并以NASICON为离子导电层,以BaCO_3-Li_2CO_3、Na_2SO_4-Li_2SO_4等复合盐以及单一或复合金属氧化物为敏感电极材料,制作出了具有良好性能的CO_2、CO、SO_2、NO_2、H_2S、Cl_2、NH_3等分立器件和集成一体化的CO-C_7H_8(甲苯)、NH_3-C_7H_8两种双功能器件。

固体电解质电位型CO气体传感器的研究

以NASICON(钠超离子导体)固体电解质为离子导电层,Y2O3为敏感电极研制了一种用于测定CO的电化学气体传感器。结果表明,器件对(5～50)×10-6范围内的CO具有较好的敏感特性。在400℃下,器件对CO的灵敏度为-45m V/decade。并且器件对CO具有较高的选择性和良好的响应恢复特性。

用准分子激光CVD制作SnO_2微透镜及其阵列的技术研究

本文利用准分子激光ＣＶＤ技术以液态ＳｎＣｌ４和氧气为源制出了半径４５μｍ的ＳｎＯ２薄膜微透镜及微透镜阵列。并从反应机制和生长规律出发对这一生长技术特点和前景进行了阐述。

全固态气体传感器的研究进展

本文介绍全固态气体传感器的研究进展,包括半导体氧化物传感器,固体电解质传感器、催化燃烧式传感器以及基于其他原理的气体传感器。

NASICON基NO2气体传感器

文中介绍了一种管式结构的固体电解质NO_2气体传感器。该传感器是用溶胶-凝胶法制备的NASICON(钠离子导体)为导电层材料,利用化学沉淀法制备的NiO和贵金属Au作为敏感电极材料制得的。文中研究了不同敏感电极材料对气体传感器性能的影响。以NiO+Au作为敏感电极材料的传感器具有较大的灵敏度,当工作温度在300℃时,对浓度为(5～200)×10^(-6)的NO_2表现出了良好的气敏性能,传感器的灵敏度大于70 mV/decade.

激光诱导原子层加工技术

激光诱导原子层加工技术是近两年提出的新兴微细加工技术，本文对激光诱导原子层外延生长、原子层刻蚀、原子层掺杂等主要技术及其对能带工程的促进作用作了概要介绍。

高功率GaAs/GaAlAs单量子阱远结激光器及退化

通过对研制的50余只808nm的GaAs/GaAlAs大功率单量子阱远结半导体激光器的老化实验观测,在老化初期(前520h),阈值电流随老化时间的延长而下降,下降幅度高达57mA,通过大于1000h的恒流电老化,器件的输出光功率在老化初期有所上升,随后表现出按指数规律缓慢下降的行为。实验结果表明器件具有长寿命的潜力。

电导数测试用于大功率半导体激光器的快速筛选

对氧化物条型ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ大功率量子阱激光器的电导数曲线及其参数与器件可靠性之间的相关性进行了讨论，指出ｍ，ｈ，ｂ参数可以评价器件质量和可靠性。实验结果表明电导数测试是大功率半导体激光器快速筛选的新方法。

高功率半导体激光器电压饱和特性与器件质量

为实现对高功率半导体激光器快速、有效、无损的质量检测和可靠性筛选,对器件进行了电导数和光导数测试及分析。结果表明高功率半导体激光器的结电压饱和特性与其质量和可靠性紧密相关。结电压饱和特性不好的器件一般都存在某种缺陷,结电压饱和特性的差异超出一定范围的同种类器件一定是质量和可靠性差的器件。因此,阈值处电导数曲线的下沉高度h值可作为器件筛选的一个判据。用模拟测量的方法,对阵列器件和组成它的单元器件的电压饱和特性的相关性进行了研究,阵列器件的电压饱和特性与组成它的单元器件的一致性(均匀性)紧密相关。均匀性不好的器件的电压饱和特性也不好。

NASICON固体电解质NH_3传感器的研制

本文介绍了一种管式结构的固体电解质NH3传感器。该传感器是将溶胶-凝胶法制备的NASICON为导电层材料,以掺杂C的Cr2O3为辅助电极材料制得的。当工作温度在250～450℃时,器件对浓度为(50-500)×10-6的NH3表现出了良好的气敏性能,器件电动势EMF值与NH3浓度的对数表现出了很好的线性关系,在350℃时,器件的灵敏度为89 mV/decade。同时,器件表现出较快的响应恢复速度,对50×10-6的NH3的响应恢复时间分别为30 s和60 s,且有较好的选择性。