垂直入射Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si多量子阱光电探测器

报道了正入射 Si0 .7Ge0 .3/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果 .测试了它的光电流谱和量子效率 .探测器的响应波长扩展到了 1 .3μm以上波段 .在 1 .3μm处量子效率为0 .1 % .量子效率峰值在 0 .95μm处达到 2 0 % .

用于共振腔光电探测器的Si基Bragg反射器

Si基共振腔型光电探测器的关键工艺是隐埋 Bragg反射器镜面的制备 .用 PECVD方法在 Si衬底上制备了 Si Ox Ny/Si Bragg反射器 ,研究了 Bragg反射器的反射谱和退火行为 .

支撑光网络发展的光子集成器件研发与趋势

从密集波分复用(DWDM)光网络的发展需求出发,评述目前支撑光网络关键性光子器件的发展现状,指出光器件集成芯片、光电子系统集成芯片,尤其是以Si为平台的系统集成芯片和规模化产品技术的研发是未来光电子的发展趋向.

高速率、低价位、智能化“3C”光网络呼唤Si基化、集成化SOC芯片

Si是微电子发展的无可替代基质材料,取之不尽,工艺成熟,立足于Si基材料,发展光网络SOC芯片,是突破上述困扰的重要途径。然而Si属间接带隙,又为立方反演对称的非极性材料,不具优异的天然光学特性。人工改性是突破Si材料本征限制的根本出路,能带工程、纳米工程、局域化工程、光子工程以及声子工程的综合运用,有望实现Si基化全光波长变换器,高速率全光开关乃至Si基激光器,为Si基化、集成化光网络SOC芯片的发展奠定基础,并将开拓出一门崭新的Si基集成光子学。

紧缩型SOI多模干涉光开关的设计

提出了一种新的紧缩型SOI多模干涉(MMI)光开关。开关由单模输入输出波导和MMI耦合器组成。通过在多模波导区域引入调制区,利用Si的等离子色散效应(PDE)改变调制区的折射率来实现开关动作。用FD BPM方法对开关的工作原理和性能进行了模拟与分析。结果表明,光开关良好的综合性能,而整个开关的长度只有7mm。