微光电子集成系统芯片开始步入实用化阶段

微光电子集成系统芯片是将高密度的光子集成器件与大规模集成电路进行集成,构成具有实用价值的光电子集成系统,充分发挥出微电子技术的逻辑处理及存储能力和光子集成技术的高速高密度并行操作及输入/输出能力,在光互连、光交换、光通信、图象信号处理、模式识别、神经网络、光信息处理与存储等领域具有很广泛的应用前景。从目前器件研究的进展状况来看,研究处于发展阶段,由于应用性强,世界各大公司都在积极开展研究,国外一些公司的微光电子集成系统芯片器件开始步入实用化阶段。由微光电子集成系统芯片构成的光互连、光交换系统将在光电子信息技术领域中发挥重大作用。

AlGaAs/GaAs-MQW激光器光增益谱理论和实验

本文简明地描述了由载流子带内弛豫加宽的半经典的密度矩阵理论.根据该理论计算了AlGaAs/GaAs多量子阱激光器的线性偏振光增益及量子阱宽L_x、Al_xGa_(1-x)As势垒层x值和带内弛豫时间τ_(in)对TE增益的影响.实验测量了多量子阱激光器的偏振光增益谱.理论与实验进行了比较.

LP-MOVPE生长的1.3μm InGaAsP/InP张压应变交替MQW特性

本文在国内首次报道了LP－MOVPE法生长高质量的压、张应变交替InGaAsP多量子阶结构的研制过程及其材料的高精度X射线双晶摇摆衍射曲线和光致发光谱特性表征．在此材料基础之上制作的平面掩埋条形结构激光器经过双腔面镀增透射膜后，其TE模与TM模自发发射谱光强差为3dBm，呈现偏振补偿特性．

应变（Ge）_5／（Si）_5超晶格的光学增益

本文采用具有驰豫展宽的半导体激光器密度矩阵理论计算了（Ｇｅ）５／（Ｓｉ）５超晶格的线性光增益和异质结激光器的国值电流密度，从理论上定量地比较了（Ｇｅ）５／（Ｓｉ）５超晶格和ＧａＡｓ体材料的线性光增益和阈值电流密度．