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GaAs/GaAlAs双异质结光波导开关内带隙的注入载流子感生变化
被引量:
1
1
作者
王德煌
王威礼
+1 位作者
庄婉如
林雯华
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第7期455-459,共5页
本文研究了GaAs/GaAlAs双异质结光波导开关内波导层带隙的载流子注入感生变化.给出了带隙变化值随注入载流子浓度变化的关系曲线,并与带填充理论和带隙收缩理论的计算结果进行了对比分析.
关键词
砷化镓
GAALAS
光波导开关
载流子
下载PDF
职称材料
题名
GaAs/GaAlAs双异质结光波导开关内带隙的注入载流子感生变化
被引量:
1
1
作者
王德煌
王威礼
庄婉如
林雯华
机构
集成光电子学国家重点联合实验室半导体所实验区
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第7期455-459,共5页
文摘
本文研究了GaAs/GaAlAs双异质结光波导开关内波导层带隙的载流子注入感生变化.给出了带隙变化值随注入载流子浓度变化的关系曲线,并与带填充理论和带隙收缩理论的计算结果进行了对比分析.
关键词
砷化镓
GAALAS
光波导开关
载流子
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs/GaAlAs双异质结光波导开关内带隙的注入载流子感生变化
王德煌
王威礼
庄婉如
林雯华
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994
1
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