一个集成光波导器件计算机辅助分析系统及其应用

本文介绍一个集成光波导器件计算机辅助分析与设计系统──ＩＯＣＡＤ，该软件采用标量单向束传播方法及快速傅立叶交换技术，具有波导结构输入简单、菜单提示全面、使用方便、功能强、速度快等特点，只要分析参数适当，ＩＯＣＡＤ具有足够精度．ＩＯＣＡＤ可对满足ＢＰＭ适用条件的多种折射率分布的任何结构的波导器件进行模拟分析．本文同时给出几个模拟实例．

具有锥形波导吸收区的高功率1.3μm超辐射发光二极管的设计

提出用束传播法设计具有锥形波导吸收区的超幅射发光二极管(SLD)。针对用液相外延生长的InGaAsP/InP双沟平面隐埋异质结SLD,给出SLD性能随锥角、锥形区长度及有源区宽度变化的关系。在此基础上,选出一组最佳参数,假定锥形区后端面反射率为1.0,忽略吸收区的吸收,得到由吸收区后端面反射耦入有源区的波的强度仅为有源区前端面入射波强度的4%。

LP-MOCVD法制备高质量InP薄膜

本文报导以国产三甲基铟(TMIn)和进口的磷烷(PH_3)为源,采用低压金属有机化合物化学气相沉积(LP-MOCVD)方法,在InP衬底上生长高质量InP的工艺条件以及外延层的电学特性和光学特性.

In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构的LP-MOVPE生长

本文报导了在低温、低压下,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEI)为Ⅲ族源材料,100％砷烷(AsH_3)、100％磷烷(PH_3)为V族源材料,用金属有机化合物气相沉积技术在(100)InP衬底上生长出In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构材料.X光摇摆曲线观测到由于周期性多量子阱结构而产生的多级卫星峰,光致发光测量给出了不同阱宽下由量子阱尺寸效应而导致的PL谱.