光伏法研究掺金硅特性

本文采用光伏方法测量掺金硅的少子寿命，掺金浓度为１０^（１２）～６．６２×１０^（１５）ｃｍ^（－３），４个数量级；根据对两类不同电阻率的Ｎ型掺金硅少子寿命系统的测量和统计计算，提出了对硅中金性质的看法。统计计算及简并因子和金施主与金受主的相关性，实验和计算结果都表明，高浓度金掺杂可以改变Ｎ型高阻硅的导电类型。

高阻硅中深能级与少子寿命的研究

本文测量了ｎ型高阻硅在９种不同浓度的金掺杂前后少子寿命的变化，以及两类不同电阻率的ｎ型高阻硅在７种不同辐照剂量的１ＭｅＶ高能电子辐照前后少子寿命的变化；测量了金掺杂和高能电子辐照在硅中引入的主要深能级；研究对比金掺杂和高能电子辐照对硅单晶性能的影响及其在提高电子器件开关速度方面的应用。

有缺陷的平行板电容器内的电场

利用复数坐标系上的保角变换和利用势的拉普拉斯方程分别讨论了带有半圆柱形凸出疤和半球形凸出疤两种有缺陷的平行板电容器内的电场分布。

偏心圆柱形电容器的电场

利用复数坐标系ｚ平面的分式线性变换，讨论了偏心圆柱形电容器内的电场分布．概括了平行圆柱形电极间电场分布的一般性结论．

双光束瞬态光伏谱测量半导体深能级

提出一种测量半导体深能级的新方法——双光束瞬态光伏谱.与目前测量深能级通常采用的方法DLTS相比,具有两个突出的优点,对被测样品无破坏性和可直接测量单晶的深能级.测量了掺金硅单晶和电子辐照硅单晶的深能级,结果与公认值完全符合.

光伏法研究高能电子辐照单晶硅的性能

采用光伏方法测量了1MeV高能电子辐照(辐照剂量为10^(13)～10^(16)cm^(-2))前后硅单晶少子扩散长度的变化;结合红外光吸收谱的测量结果,分析了高能电子辐照对硅单晶性能的影响。实验结果表明:高阻硅比低阻硅具有更强的抗辐射能力,大剂量的电子辐照可以改变n型硅的导电类型。文中还计算了电子辐照在硅中所产生的缺陷浓度等一些重要参数。

SnO_2／Si的光伏特性

采用ＣＶＤ方法在硅单晶上制备ＳｎＯ２薄膜，对不同硅衬底及在不同温度下淀积ＳｎＯ２制得ＳｎＯ２／Ｓｉ进行光电压谱的测量，得出最佳的制备温度；采用类金属半导体接触模型，推导出有关计算公式，计算得出其介面复合速度和异质结势垒宽度等参数。

GaAs/AlGaAs多量子阱光生电压谱研究

在18—300K温度范围内,研究了用半绝缘体GaAs作为衬底的GaAs/AlGaAs多量子阱的光生电压谱.共观测到11H,11L,22H,22L,33H,33L,13H和31H等多种允许和禁戒的激子吸收峰.低温下的光生电压谱清晰地反映了多量子阱台阶式的状态密度分布.认为光生电压谱也可以作为一种判断多量子阱和超晶格外延生长质量的方法.还讨论了光生电压随温度的变化和光生电压效应的机理.