用PCVD法制备（TiA1）N膜的研究

本文报道了在PCVD设备中用固态AlCl3源成功地制备出（TiAl)N膜。结果表明，（TiAl)膜的含Al量与AlCl3源的温度成正比，而膜内C含量则无明显变化。（TiAl)N膜保持了TiN膜的面心立方晶体结构，但其d(200)晶面间距变小，织构变弱，晶粒略有细化，（TiAl)N膜的显微硬度略高于或等于TiN膜的硬度，而其抗高温氧化性有较大幅度提高。

划痕试验法测定TiN薄膜的粘着力

本文用划痕试验法研究了直流等离子体化学气相沉积(PCVD)镀膜工艺在高速钢、碳钢上沉积的 TiN 膜的剥落方式,测量了膜层被划干净时的临界载荷,并和 PVD、CVD 工艺在高速钢、硬质合金钢上镀的 TiN 膜作了比较,结果表明:PCVD 法较 PVD 法镀的 TiN 膜的粘着力强,达到了 CVD 法镀的 TiN膜的粘着力。

PCVD-TiN膜结构与沉积温度关系的研究

研究了直流ＰＣＶＤ ＴｉＮ膜的断口结构和机械性能。用扫描电镜观察了４００℃～７００℃ 下沉积的 ＴｉＮ膜．总结了在本条件下所得 ＰＣＶＤ－ＴｉＮ膜的温度－结构关系，与 ＰＶＤ 法相比，其主要差别是化学反应的参与对膜结构有重要影响，以及膜生长时的良好绕镀 性引起的结构特征．

等离子体化学气相沉积氮化钛

本文报导中试规模的直流等离子体化学气相沉积氮化钛工艺及设备;对TiN膜的硬度、生长速率、显微组织、晶体结构以及TiN膜的成分进行的研究;经测试及实际应用证明,刃具、模具、轴承等镀TiN后寿命明显提高。

PCVD硬膜的现状与展望

等离子体化学气相沉积(PCVD)在集成电路元件，光导纤维，太阳能电池等领域中已得到广泛应用。近年来，用PCVD或加热棘的化学气相沉积法，合成金刚石和金刚石膜取得了世人注目的进展。由于低压合成金刚石获得成功的启发。