静电纺丝技术制备三维纳米结构研究进展

静电纺丝技术可制备形貌可控并且连续的纳米纤维,在三维纳米结构制备领域得到了广泛应用。综述了国内外三维静电纺丝技术的研究现状,介绍了三维静电纺丝技术的基本原理。概述了目前制备三维纳米结构常用的四种静电纺丝技术涉及的方法,即自组装法、固体模板辅助收集法、液体辅助收集法和气体辅助收集法。对制备原理、实验装置、制备方法、所获得的纳米纤维的主要工艺参数及适用范围进行了比较和总结,并且详细分析了影响其纺丝质量的因素,为三维静电纺丝技术进一步发展提供了参考。

添加剂对Bi_(3.5)La_(0.5)Ti_3O_(12)材料的显微结构及铁电性能的影响

为制备致密化Bi3.5La0.5Ti3O12陶瓷材料,本文采用共沉淀法合成了Bi3.5La0.5Ti3O12陶瓷粉体,以无定形SiO2为添加剂,在不同烧结工艺条件下制备了Bi3.5La0.5Ti3O12陶瓷,并分析了烧结添加剂对材料的相对理论密度、显微结构及铁电性能的影响。分析结果表明,烧结添加剂促进了晶粒的生长速度,在烧结时间进一步延长时,晶粒由片状向近球状晶粒形状发展;电滞回线测量表明,在1 060℃烧结2h的条件下,加入SiO2,制备的Bi3.5La0.5Ti3O12陶瓷的剩余极化强度Pr值为9.8μC/cm2,矫顽场强度Ec值为63.7kV/cm。该研究为制备致密化的钛酸镧铋陶瓷提供了理论参考。

DAST晶体的表面形貌、缺陷及显微硬度研究

利用自行合成的4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲基苯磺酸盐(DAST)原料,用斜板法生长出了一定尺寸的DAST晶体。用X射线衍射仪(XRD)对所得样品进行了表征,用光学显微镜观察了不同晶体(001)面的形貌特征并对其进行了分析,对不同腐蚀剂作用下的腐蚀坑的特点和成因进行了研究,测定了不同载荷下DAST晶体(001)面的显微硬度值。

Nd:YVO_4激光晶体对808nm附近光的吸收特性(英文)

研究了Nd:YVO_4激光晶体对808 nm附近光的吸收,定量给出了不同激活粒子浓度与其吸收808 nm光的关系.在测试晶体透过率基础上,通过计算,给出了Nd:YVO_4晶体808 nm波长光的吸收系数。实验得出了在确定浓度和长度的情况下,晶体对808 nm泵浦光吸收系数是一个不与泵浦源功率相关的确定值.计算了π和σ两偏振吸收,比较出它们之间的关系.

DAST晶体的原料合成与生长

研究了DAST晶体原料的合成方法,通过优化实验条件,得到了相应的合成产物。对合成产物进行了元素分析、红外光谱分析、核磁共振分析、XRD分析,证实了所得产物即为DAST。利用合成的DAST原料通过斜板法进行了初步的晶体生长实验,得到了形貌较为完整的DAST晶体。

SrFe_(0.5)Cr_(0.5)O_3钙钛矿氧化物的高压合成和磁电性能

采用高压合成的方法设计合成了新型的具有ABO3钙钛矿结构的SrFe0.5Cr0.5O3氧化物。对其晶体结构和磁电性能进行了表征。结果表明,SrFe0.5Cr0.5O3氧化物是B位无序的立方钙钛矿结构,空间群为Pm-3m,SrFe0.5Cr0.5O3中不存在长程磁有序,表现出自旋玻璃行为,电阻率随温度降低逐渐增大,表现出半导体行为,适用热激活模型。

ADP晶体的全方位生长方法研究(英文)

采用一种全新的ADP晶体生长方法,使晶体首先恢复其理想外形,实现晶体的全方位生长,从而提高晶体的生长速度。并对所得晶体进行了透过率,激光散射,摇摆曲线测试及热重差热分析,与常规生长方法比较并分析了全方位生长方法的优势。

Y0.145Gd0.855Ca4O(BO3)3混晶的晶体生长和压电、热膨胀性能(英文)

利用提拉法成功生长出了Y_(0.145)Gd_(0.855)Ca_4O(BO_3)_3(Y_(0.145)Gd_(0.855)CO_B)混晶。对其压电系数和热膨胀系数进行了测量,测得压电系数d26为9 pC/N,计算得到热膨胀系数α11,α22α33分别为12.97×10-6/℃,5.94×10-6/℃,8.03×10-6/℃。通过与YCa4O(BO_3)_3和GdC a_4O(BO_3)_3晶体的对比,分析了Re^(3+)半径和Re^(3+)、Ca^(2+)的无序分布对于Y0.145Gd0.855COB混晶的压电性能和热膨胀性能的影响。

Yb∶Lu_xY_(1-x)PO_4混晶的生长及成分分析

用Pb_2P_2O_7作为助熔剂采用自发成核的方法生长了Yb:Lu_xY_(1-x)PO_4混晶;X射线粉末衍射分析显示Yb:Lu_xY_(1-x)PO_4晶体为四方磷钇矿结构;用光学显微镜观察了混晶的形貌,发现(100)面为混晶的解理面。红外分析表明助熔剂没有掺杂进晶体内部;根据电子显微探针分析数据,晶体分子式近似可以写成Yb_(0.05)Y_(0.475)Lu_(0.475)PO_4。

Nd掺杂Bi_4Ti_3O_(12)铁电单晶的铁电性能、介电性能（英文）

采用助溶剂法使用Bi_2O_3作为助溶剂生长出Bi_4Ti_3O_(12)和Bi_(3.5)Nd_(0.5)Ti_3O_(12)单晶。研究了Nd取代对Bi_4Ti_3O_(12)单晶铁电和介电性能的影响。Bi_4Ti_3O_(12)单晶的剩余极化(2Pr)和矫顽场(2Ec)分别约28μC/cm^2和71KV/cm,Bi_(3.5)Nd_(0.5)Ti_3O_(12)单晶的2Pr和2Ec分别约20μC/cm^2/cm^2和41kV/cm。与Bi_4Ti_3O_(12)单晶相比,Bi_(3.5)Nd_(0.5)Ti_3O_(12)单晶具有较低的漏电流约为10^(-8) A/cm^2。Bi_4Ti_3O_(12)单晶介电常数和介电损耗的值分别为73和0.04,Bi_(3.5)Nd_(0.5)Ti_3O_(12)单晶的介电常数和介电损耗的值分别为105和0.018。结果表明,Bi_(3.5)Nd_(0.5)Ti_3O_(12)单晶的铁电和介电性能均随Nd含量的增加而降低。