ITO薄膜的制备及性能研究

采用磁控溅射方法,以纯ITO作为靶材,Ar和O_(2)、H2为溅射气体在高铝硅玻璃基片上成功制备出低电阻且高透光率的ITO膜。利用X射线衍射、分光光度计对不同工艺参数下薄膜的结构和光学参数进行了表征,方阻仪用来测量样品的电学性能。研究结果表明,ITO膜为非晶结构,溅射功率和溅射气体通过影响薄膜中的缺陷浓度、氧空位的浓度对ITO薄膜的方阻以及透光率产生影响。优化工艺条件下的ITO膜的方阻值Rs为13Ω/sq,900nm处的透光率可达85.4%,具有良好的透光率和导电性。