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ITO薄膜的制备及性能研究
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作者 卞恒卿 张家震 金虎范 《中国建材科技》 CAS 2024年第S01期147-148,152,共3页
采用磁控溅射方法,以纯ITO作为靶材,Ar和O_(2)、H2为溅射气体在高铝硅玻璃基片上成功制备出低电阻且高透光率的ITO膜。利用X射线衍射、分光光度计对不同工艺参数下薄膜的结构和光学参数进行了表征,方阻仪用来测量样品的电学性能。研究... 采用磁控溅射方法,以纯ITO作为靶材,Ar和O_(2)、H2为溅射气体在高铝硅玻璃基片上成功制备出低电阻且高透光率的ITO膜。利用X射线衍射、分光光度计对不同工艺参数下薄膜的结构和光学参数进行了表征,方阻仪用来测量样品的电学性能。研究结果表明,ITO膜为非晶结构,溅射功率和溅射气体通过影响薄膜中的缺陷浓度、氧空位的浓度对ITO薄膜的方阻以及透光率产生影响。优化工艺条件下的ITO膜的方阻值Rs为13Ω/sq,900nm处的透光率可达85.4%,具有良好的透光率和导电性。 展开更多
关键词 ITO膜 磁控溅射 氧空位
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