化学水浴法制备ZnS薄膜的结构与性能

采用化学水浴法制备了ZnS薄膜,并从沉积ZnS薄膜的化学反应原理出发,对其结构和性能进行了综合研究。结果表明:随着沉积时间的增加,ZnS薄膜厚度增加,其光学透过率降低,薄膜的禁带宽度也随之变小,最小值为3.74 e V;而薄膜的粗糙度变化不大,其值在6~9 nm之间。随着反应物浓度的增加,薄膜的光学透过率呈先增加后减小的变化,当反应物浓度过低或过高时,沉积反应都会向同质反应偏移,在薄膜表面生成杂质,导致薄膜不均匀。当沉积时间为120 min,ZnSO_4、SC(NH_2)_2和NH_3·H_2O的浓度分别为0.03、0.4和4.0 mol/L时,沉积的ZnS薄膜呈均匀致密结构,成分为单一ZnS相,其光学透过率在450~900 nm波段高于70%。

中频磁控溅射法制备掺氢氮化硅减反/钝化复合功能薄膜的研究

使用中频磁控溅射法制备了具有光学减反射与电学钝化的复合功能的氮化硅（SiNx）薄膜,并对其结构和性能进行了综合研究。结果表明：在常规制绒硅片上沉积的两种不同折射率的单层SiNx减反膜表现出优异的光学性能,其在300-1 100 nm波段的平均反射率由镀膜前的14.86%下降到镀膜后的5.50%和6.58%;若采用多层的氮化硅（m-SiNx）＋氮氧化硅（SiOx Ny）薄膜作为减反层,则其平均反射率进一步下降到4.03%。同时,优化工艺制备得到的掺氢氮化硅（Si Nx∶H）薄膜,表现出良好的电学钝化特性。试验中分别制备了两种复合结构的薄膜,即SiNx∶H（厚度15 nm）＋m-SiNx＋SiOxNy与SiNx∶H（厚度30 nm）＋m-SiNx＋SiOxNy复合薄膜,其平均反射率分别为5.88%和5.43%;把这两种薄膜用于晶体硅太阳电池上,其开路电压则都达到了575 m V,表现出良好的性能。