氯硅烷提纯工艺中树脂除杂技术研究进展

氯硅烷作为生产电子级多晶硅的重要原料,即使原料中含有微量的杂质,最终也会影响电子级多晶硅产品纯度,由于杂质和氯硅烷的沸点相近,通过传统工艺很难去除。基于此,文章就氯硅烷提纯工艺中新型树脂除杂技术的应用做了分析与探讨。

浅谈电子级多晶硅的清洗工艺

表金属杂质含量是电子级多晶硅一项重要的质量指标,目前电子级多晶硅在降低表面金属杂质含量的除杂技术上主要以酸清洗为主,通过不同程度的表面刻蚀将表金属杂质控制在较低水平。文章主要对电子级多晶硅料化学清洗工艺,尤其从电子级多晶硅表金属控制中清洗液的选择方面进行相关的论述。

浅谈洁净用品在高纯多晶硅后处理过程中的重要性

高纯多晶硅作为电子材料的基石,其纯度及表金属杂质的控制是有严格要求的,当多晶硅通过一系列复杂的工艺从还原炉中生长出直至到下游厂家,其中的各个流程都有二次污染的风险,为了尽量减少或杜绝产品的污染,我们需要借助许多工具或物品设施来实现,这样就对过程中接触多晶硅的物品要求提出了考验,无论是运输车辆还是破碎工具等。文章针对在多晶硅后处理过程中为隔离杜绝人接触而污染产品的洁净用品分析探讨,重点从洁净手套方面分析高纯多晶硅后处理中质量保证的特殊性和重要性,从而对有效的控制管理措施提供科学的依据。