FTO/ITO复层导电薄膜的研究

采用溶胶凝胶法与溶液水解法分别制备ITO、FTO以及FTO/ITO复层导电膜,利用分光光度仪测量在可见光范围内的透光率,用四探针法精确测量薄膜的电阻率,通过扫描电镜观测薄膜的表面形态,微观颗粒形貌以及薄膜的厚度。实验表明,用SnCl4.5H2OI、n(NO3)3.4.5H2O、NH4F作为主要原料,通过溶胶凝胶法和溶液水解法可制备出低电阻率,高透光性的FTO/ITO复合导电薄膜。

低温烧结用PZT粉体水热合成

水热合成了低温烧结用PZT粉体。合成时添加Fe+ 2 ,Bi+ 3 ,Cu+ 2 等离子化合物 ,生成粉体中外加微量Ba(Cu0 .5W0 .5)O3 ,经X -ray,SEM ,TG -DTA及比表面积的测定 ,表明当反应介质为 4mol/LNaOH ,时间 2h,反应温度 2 0 0°C时 ,合成的粉体中PZT微晶子已大量生成。PZT陶瓷在 850°C温度下烧成 ,密度可达理论值 98%。并对其压电性能进行了测定 ,结果证实 ,微量烧结助剂的添加除有效地降低烧结温度外 ,使Qm 值提高 ,而Kp值有所下降。。

掺杂Fe^(2+),Bi^(3+),Cu^(2+)的PZT陶瓷低温烧结

在利用水热法合成的粉体低温烧结PZT[Pb(Zr0 .5 3TiO0 .47)O3]陶瓷中 ,掺杂了Fe2 + ,Bi3+ ,Cu2 + 等无机化合物 ,使PZT陶瓷在 85 0℃温度下即可烧成 ,密度可达理论值 98%。压电性能测定表明 ,其Kp值变化不大 ,而Qm值有较大提高。

应用激光闪光法测量薄膜材料的热扩散率

目的是将用于测量片状试样的热扩散率的激光闪光法推广至测量薄膜试样。应用 1 5纳秒脉冲 Nd:YAG激光及响应时间 0 .9微秒的 (Hg,Cd) Te红外探测器等建立了闪光法热扩散率测量系统 ,并应用此系统对微米量级厚度的不锈钢薄膜进行了测量。同时针对将激光闪光法应用于薄膜时所出现的问题 ,如激光的有限脉冲时间及有限吸收厚度效应 ,测量系统的滞后效应 。

水热条件对易烧结PZT粉体合成的影响

用水热法合成了低温烧结用PZT[Pb(Zr0 .5 3 TiO0 .47)O3]粉体。探讨了水热条件对合成粉体性能的影响。合成时添加了有助于烧结的Fe2 + ,Bi3 + ,Cu2 + 等离子化合物 ,经X ray,SEM ,TG DTA及比表面积的测定 ,表明 :当反应介质为 4mol/LNaOH ,时间 2h ,反应温度 2 0 0℃时合成后的粉体有良好的烧结性。粉体中外加了微量BCW[Ba(Cu0 .5 W0 .5 )O3] ,使PZT陶瓷在 850℃温度下即可烧成 ,密度可达理论值 98%。

Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3陶瓷超细粉体制备及分散研究

用化学共沉淀法合成了陶瓷Pb(Zr0.53Ti0.47)O3超细粉体,以聚乙二醇(PEG)为分散剂对所得粉体进行分散。通过X衍射、扫描电镜分析,研究了合成条件和煅烧温度对PZT粉体性能的影响。结果表明,随着煅烧温度的升高,PZT超细粉晶化度提高,一次晶粒尺寸增加,而二次粒子尺寸却减小。当分散剂分子量为10000,用量为1%时,得到分散良好的超细粉体。测定了用合成的粉体烧结的PZT陶瓷的压电性能。

FeS_2/TiO_2复合薄膜光电性能

采用溶液浸渍法在ITO导电玻璃表面的多孔TiO2薄膜上沉积了FeS2薄膜。使用Fe2O3粉末保护裸露在外的ITO导电膜在硫气氛中热处理后,制得了FeS2/TiO2复合薄膜。应用B531/H数显测厚指示表、数字式四探针测试仪、XJCM-8太阳电池测试仪等研究了FeS2/TiO2复合薄膜的厚度、ITO导电玻璃的电阻率以及FeS2/TiO2复合薄膜的光电性能。结果表明:此方法制得的FeS2/TiO2复合薄膜具有良好的光电性能;且ITO导电膜的电阻率变化较小。因而适宜制备色素增感太阳能电池(DSSC)。