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Sc掺杂对PDP中MgO薄膜外逸电子发射性能的影响
被引量:
3
1
作者
况亚伟
Sang-Hoon Yoon
+3 位作者
Yong-SeogKim
李青
朱笛
张雄
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第5期521-525,共5页
研究了等离子显示器中Sc掺杂对MgO介质保护薄膜外逸电子发射性能的影响。测试出无掺杂和Sc掺杂MgO薄膜在不同温度条件下的外逸电子发射电流,并基于理论模型模拟计算外逸电子发射电流对比实验结果。结果表明Sc掺杂加深了MgO禁带中的电子...
研究了等离子显示器中Sc掺杂对MgO介质保护薄膜外逸电子发射性能的影响。测试出无掺杂和Sc掺杂MgO薄膜在不同温度条件下的外逸电子发射电流,并基于理论模型模拟计算外逸电子发射电流对比实验结果。结果表明Sc掺杂加深了MgO禁带中的电子陷阱深度,延长了MgO薄膜的外逸电子发射的衰减时间。Sc掺杂MgO薄膜具备了持续发射外逸电子的能力,能够实现等离子显示器放电单元稳定快速的寻址。
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关键词
等离子体显示器
MgO薄膜
Sc掺杂
外逸电子
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职称材料
题名
Sc掺杂对PDP中MgO薄膜外逸电子发射性能的影响
被引量:
3
1
作者
况亚伟
Sang-Hoon Yoon
Yong-SeogKim
李青
朱笛
张雄
机构
东南
大学
电子
科学与
工程
学院
显示技术研究中心
韩国弘益大学材料科学与工程学院
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第5期521-525,共5页
基金
国家自然科学基金项目(60571033)
国家863项目(2008AA03A308)
高等学校学科创新引智计划(111计划)资助项目(B07027)
文摘
研究了等离子显示器中Sc掺杂对MgO介质保护薄膜外逸电子发射性能的影响。测试出无掺杂和Sc掺杂MgO薄膜在不同温度条件下的外逸电子发射电流,并基于理论模型模拟计算外逸电子发射电流对比实验结果。结果表明Sc掺杂加深了MgO禁带中的电子陷阱深度,延长了MgO薄膜的外逸电子发射的衰减时间。Sc掺杂MgO薄膜具备了持续发射外逸电子的能力,能够实现等离子显示器放电单元稳定快速的寻址。
关键词
等离子体显示器
MgO薄膜
Sc掺杂
外逸电子
Keywords
Plasma display panel
MgO film
Sc doping
Exo-electron
分类号
O484 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Sc掺杂对PDP中MgO薄膜外逸电子发射性能的影响
况亚伟
Sang-Hoon Yoon
Yong-SeogKim
李青
朱笛
张雄
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
3
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