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水性粘合剂在电子陶瓷流延成型中的应用 被引量:7
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作者 曹秀华 姚卿敏 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期57-59,62,共4页
总结了水性粘合剂的种类,分散形态,及其物理化学性质,如黏度、分子量、玻化温度等对电子陶瓷流延成型的影响,阐明了水性粘合剂对陶瓷浆料的稳定机理。从环保和MLCC高性能化的角度出发,指出采用水基流延的必然趋势,其重要研究方向在于提... 总结了水性粘合剂的种类,分散形态,及其物理化学性质,如黏度、分子量、玻化温度等对电子陶瓷流延成型的影响,阐明了水性粘合剂对陶瓷浆料的稳定机理。从环保和MLCC高性能化的角度出发,指出采用水基流延的必然趋势,其重要研究方向在于提高水基流延的膜片强度。 展开更多
关键词 电子技术 水性粘合剂 综述 流延成型 电子陶瓷 MLCC
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抑制浪涌电流用硅单晶热敏电阻器 被引量:7
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作者 刘会冲 陶明德 +2 位作者 冯中华 蒋朝伦 李金琢 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期18-20,共3页
为解决氧化物型抑制浪涌用热敏电阻电阻率高、温度系数小的矛盾,采用N型或者P型硅单晶扩散掺金,研制成一种新型的抑制浪涌电流用硅单晶热敏电阻器。该电阻器温度灵敏度高(a=6.0%1)、残留电阻小(小于1伲⒑纳⑾凳?5mW、时间常数为50... 为解决氧化物型抑制浪涌用热敏电阻电阻率高、温度系数小的矛盾,采用N型或者P型硅单晶扩散掺金,研制成一种新型的抑制浪涌电流用硅单晶热敏电阻器。该电阻器温度灵敏度高(a=6.0%1)、残留电阻小(小于1伲⒑纳⑾凳?5mW、时间常数为50s。与抑制浪涌电流用的氧化物NTCR相比,其制造工艺简单、成本低、一致性好,且易实现片式化和集成化。讨论了这种元件的热敏机理。 展开更多
关键词 掺金硅单晶热敏电阻器 抑制浪涌电流 热敏特性
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多晶氧化物半导体中晶界对电导的影响 被引量:5
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作者 蒋朝伦 陶明德 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期11-13,共3页
主要讨论NTC多晶氧化物半导体中晶界对电导的影响。研究表明,NTC多晶氧化物半导体的电导是由晶粒中载流子的热激发并穿过晶界势垒形成的,电导同时受晶粒和晶界的控制;材料的电阻–温度特性不是严格的指数曲线;材料常数与温度有关。因此... 主要讨论NTC多晶氧化物半导体中晶界对电导的影响。研究表明,NTC多晶氧化物半导体的电导是由晶粒中载流子的热激发并穿过晶界势垒形成的,电导同时受晶粒和晶界的控制;材料的电阻–温度特性不是严格的指数曲线;材料常数与温度有关。因此,研究晶界的行为,对制备高性能NTC材料具有重要意义。 展开更多
关键词 多晶体氧化物半导体 晶界 电导 材料常数
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硅正电阻温度系数热敏电阻器 被引量:1
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作者 蒋朝伦 陶明德 +1 位作者 冯中华 李金琢 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期32-34,共3页
为获得一种在常温下具有正温特性的热敏电阻,采用硅单晶材料,利用其迁移率随温度变化的规律设计并制成了硅正电阻温度系数热敏电阻器。测量表明,其电阻值随温度升高而增大。温度系数为(0.6%~0.8%)℃^(-1),在-50~+100℃温度范围内具... 为获得一种在常温下具有正温特性的热敏电阻,采用硅单晶材料,利用其迁移率随温度变化的规律设计并制成了硅正电阻温度系数热敏电阻器。测量表明,其电阻值随温度升高而增大。温度系数为(0.6%~0.8%)℃^(-1),在-50~+100℃温度范围内具有准线性。硅正电阻温度系数热敏电阻器特别适合于各种半导体器件和传感器的温度补偿。 展开更多
关键词 硅单晶热敏电阻器 正温度系数 迁移率
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