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一种新颖的基于嵌入式纳米晶体flash技术的32位MCU
1
作者
赵武玲
赵红坡
《科技传播》
2012年第24期230-231,共2页
近期飞思卡尔提出了一种全新的高性能的32位微控制器,它集成了基于纳米晶体为存储介质的分裂栅薄膜flash的存储器,而且提供嵌入式的EEPROM的功能。这种薄膜flash存储器具有很快的读取访问速度,快速的编程(10us~20us)和擦除时间(1ms~20...
近期飞思卡尔提出了一种全新的高性能的32位微控制器,它集成了基于纳米晶体为存储介质的分裂栅薄膜flash的存储器,而且提供嵌入式的EEPROM的功能。这种薄膜flash存储器具有很快的读取访问速度,快速的编程(10us~20us)和擦除时间(1ms~20ms),可靠的数据保持性能和大于10M的可擦除性能。MCU集成了多种模拟模块和外设,有多样的功耗模式设计,因此可以给用户灵活的应用。
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关键词
分裂栅薄膜闪存
纳米晶体
嵌入式闪存
尺寸缩小
电可擦除只读存储器
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职称材料
题名
一种新颖的基于嵌入式纳米晶体flash技术的32位MCU
1
作者
赵武玲
赵红坡
机构
核工业理化工程研究院
飞思卡尔强芯
出处
《科技传播》
2012年第24期230-231,共2页
文摘
近期飞思卡尔提出了一种全新的高性能的32位微控制器,它集成了基于纳米晶体为存储介质的分裂栅薄膜flash的存储器,而且提供嵌入式的EEPROM的功能。这种薄膜flash存储器具有很快的读取访问速度,快速的编程(10us~20us)和擦除时间(1ms~20ms),可靠的数据保持性能和大于10M的可擦除性能。MCU集成了多种模拟模块和外设,有多样的功耗模式设计,因此可以给用户灵活的应用。
关键词
分裂栅薄膜闪存
纳米晶体
嵌入式闪存
尺寸缩小
电可擦除只读存储器
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
TP368.1 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种新颖的基于嵌入式纳米晶体flash技术的32位MCU
赵武玲
赵红坡
《科技传播》
2012
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