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钙钛矿铁电纳米片诱导的P(VDF-TrFE)取向生长(英文)
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作者 刘金 麦江泉 +9 位作者 李诗 任召辉 李铭 武梦娇 吴勇军 路新慧 李翔 田鹤 王宗荣 韩高荣 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2017年第6期1261-1266,共6页
半结晶的铁电聚合物在柔性电子器件中极具应用前景,控制晶相生长对其性能优化至关重要。本文通过引入少量(0.2%)单晶单畴的PbTiO_3纳米片对P(VDF-TrFE)(简称PVTF)铁电薄膜的生长进行有效调节,获得了高度取向的铁电薄膜且铁电性能得到了... 半结晶的铁电聚合物在柔性电子器件中极具应用前景,控制晶相生长对其性能优化至关重要。本文通过引入少量(0.2%)单晶单畴的PbTiO_3纳米片对P(VDF-TrFE)(简称PVTF)铁电薄膜的生长进行有效调节,获得了高度取向的铁电薄膜且铁电性能得到了大幅提高。PbTiO_3纳米片铁电极化对PVTF极性分子的诱导作用可能是薄膜取向生长与性能提高的原因。 展开更多
关键词 P(VDF-TrFE) PBTIO3 纳米片 取向生长 铁电性
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