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MMCs的冲击力学性能及拉压不对称性研究
被引量:
1
1
作者
黄晨光
段祝平
+1 位作者
吕毓雄
LIRKY
《复合材料学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第1期120-127,共8页
利用动态 Hopkinson装置和 Instron 40 2 6测试了 15 % Si CP/Al- 5 Cu、 15 % Si CP/2 12 4、15 % Si CP/Al- L i、15 % Si CW/6 0 6 1和 30 % Si CP/6 0 6 1铝合金等几种复合材料的准静态和冲击力学性能 ,探讨了应变率等对于强度、硬...
利用动态 Hopkinson装置和 Instron 40 2 6测试了 15 % Si CP/Al- 5 Cu、 15 % Si CP/2 12 4、15 % Si CP/Al- L i、15 % Si CW/6 0 6 1和 30 % Si CP/6 0 6 1铝合金等几种复合材料的准静态和冲击力学性能 ,探讨了应变率等对于强度、硬化模量和失效应变等的影响。同时观察了上述材料动态拉伸断口 ,揭示了金属基复合材料破坏的几种不同控制机理。最后讨论了实验中发现的上述复合材料拉压不对称性的新特征 ,其中考虑了金属基复合材料的热失配应力和不同的损伤。
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关键词
金属基复合材料
应变率
拉压不对称性
HOPKINSON杆
冲击力学性能
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职称材料
TiN覆盖层和Co/Ti/Si三元固相反应改善超薄CoSi_2高温稳定性
被引量:
1
2
作者
刘京
茹国平
+3 位作者
顾志光
屈新萍
李炳宗
朱剑豪
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第3期214-217,共4页
本文研究不同金属薄膜结构形成的超薄CoSi2膜的高温稳定性.采用离子束溅射和反应磁控溅射技术制备Co/Si、TiN/Co/Si、Co/Ti/Si、TiN/Co/Ti/Si不同结构,在高纯氮气下进行快速热退火(RTA)...
本文研究不同金属薄膜结构形成的超薄CoSi2膜的高温稳定性.采用离子束溅射和反应磁控溅射技术制备Co/Si、TiN/Co/Si、Co/Ti/Si、TiN/Co/Ti/Si不同结构,在高纯氮气下进行快速热退火(RTA),形成CoSi2薄膜.应用四探针薄层电阻测试、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)进行测试.实验结果表明:TiN覆盖层和Co/Ti/Si三元固相反应都是有利于形成具有良好高温稳定特性的CoSi2薄膜的有效方法,有望应用于深亚微米接触和互连技术中.
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关键词
VLSI
ULSI
IC
制造工艺
金属薄膜
二氧化钴
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职称材料
题名
MMCs的冲击力学性能及拉压不对称性研究
被引量:
1
1
作者
黄晨光
段祝平
吕毓雄
LIRKY
机构
中国
科学
院力学研究所
中国
科学
院金属研究所
香港城市大学应用物理及材料科学系
出处
《复合材料学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第1期120-127,共8页
基金
国家自然科学基金重大项目! (19891180 )
文摘
利用动态 Hopkinson装置和 Instron 40 2 6测试了 15 % Si CP/Al- 5 Cu、 15 % Si CP/2 12 4、15 % Si CP/Al- L i、15 % Si CW/6 0 6 1和 30 % Si CP/6 0 6 1铝合金等几种复合材料的准静态和冲击力学性能 ,探讨了应变率等对于强度、硬化模量和失效应变等的影响。同时观察了上述材料动态拉伸断口 ,揭示了金属基复合材料破坏的几种不同控制机理。最后讨论了实验中发现的上述复合材料拉压不对称性的新特征 ,其中考虑了金属基复合材料的热失配应力和不同的损伤。
关键词
金属基复合材料
应变率
拉压不对称性
HOPKINSON杆
冲击力学性能
Keywords
high strain rate
MMC materials
SEM
Split Hopkinson Bar
分类号
TB331.01 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
TiN覆盖层和Co/Ti/Si三元固相反应改善超薄CoSi_2高温稳定性
被引量:
1
2
作者
刘京
茹国平
顾志光
屈新萍
李炳宗
朱剑豪
机构
复旦
大学
电子工程
系
香港城市大学应用物理及材料科学系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第3期214-217,共4页
基金
国家自然科学基金
上海应用材料微电子基金
文摘
本文研究不同金属薄膜结构形成的超薄CoSi2膜的高温稳定性.采用离子束溅射和反应磁控溅射技术制备Co/Si、TiN/Co/Si、Co/Ti/Si、TiN/Co/Ti/Si不同结构,在高纯氮气下进行快速热退火(RTA),形成CoSi2薄膜.应用四探针薄层电阻测试、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)进行测试.实验结果表明:TiN覆盖层和Co/Ti/Si三元固相反应都是有利于形成具有良好高温稳定特性的CoSi2薄膜的有效方法,有望应用于深亚微米接触和互连技术中.
关键词
VLSI
ULSI
IC
制造工艺
金属薄膜
二氧化钴
Keywords
Thermodynamic stability
Thin films
分类号
TN470.5 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MMCs的冲击力学性能及拉压不对称性研究
黄晨光
段祝平
吕毓雄
LIRKY
《复合材料学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
1
下载PDF
职称材料
2
TiN覆盖层和Co/Ti/Si三元固相反应改善超薄CoSi_2高温稳定性
刘京
茹国平
顾志光
屈新萍
李炳宗
朱剑豪
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
1
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职称材料
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