非线性不确定大系统的分散滑动模控制

本文研究一类非线性不确定大系统的分散滑动模控制问题．首先给出了使滑动模具有良好动态品质的分散切换流形的设计方法；然后给出了一种基于不确定因素已知变化范围的分散滑动模控制器设计方法，该方法只需对各孤立子系统进行降阶滑动模的极点配置及求解降阶Ｌｙａｐｕｎｏｖ矩阵方程即可；最后以一具体例子说明其设计过程。

一类分布参数系统的有限维变结构控制

本文研究了一类非线性分布参数系统的有限维变结构控制问题．首先采用Ｇａｌｅｒｋｉｎ近似法给出了系统的有限维近似模型；进而给出了使近似系统具有良好动态品质的有限维变结构控制器的设计方法，最后分析了闭环系统的渐近性态，给出了在近似阶次一定的情况下，原系统具有良好渐近性态的充分条件．

用于无冲突矢量寻址的一种新存贮图

在用于矢量处理的并行存贮系统中,数据存贮图(storage schemc)的研究一直专注于低阶交错存贮图(low-order interleaved scheme)、平移存贮图(Skewed scheme)与异或存贮图(XOR-scheme)。本文提出一种 K 行交错存贮图(K-row interlcaved scheme)。该存贮图有更高的平均总线利用率。特别在用于动态存贮获得矢量无冲突寻址时,其地址产生比文献[6] 、[8] 提出的方法更加简单。文章给出了该存贮图的物理地址映射函数,并对其用于动态贮存时的性能进行了分析。

宏单元模式分级布图规划方法

本文提出一个新的宏单元模式分级布图规划方法.布图规划分三个阶段进行:芯片物理分级构造、布图规划和布图规划修正.主要特点包括:松弛对布图拓扑结构的约束、模块“自然”结群构造设计物理分级、采用解析方法求解面积规划问题、基于一个新的Steiner树算法求布线规划、包含模块面积估计和布线面积估计.实验结果表明提出的方法可以在满足不同形状和I/O设计目标的同时得到很高的芯片面积利用率.

He＋离子注入LiNbO3晶体波导的制备及其性能研究

报道了液氮温度下Ｈｅ＋离子注入ＬｉＮｂＯ３波导的制备，采用棱镜耦合法测量了波导退火前后各导模的有效折射率，计算了波导层折射率的分布和晶体中Ｈｅ＋离子的射程分布和损伤分布，两者吻合得较好。

150快速热氮化SiO_2膜的击穿特性

对具有器件质量的150A厚SiO_2膜经传统的长时间热氮化和高温快速热氮化后,研究了其击穿特性及其在高场强下的耐久力。研究结果表明,氮化后击穿场强的分布变窄,对栅电极面积的依赖性减弱,最大击穿场强略微下降。热氮化对高电场下SiO_2/Si界面稳定性和决定于时间的介质击穿均有改善。这种改善既取决于所加栅电压的极性,又强烈依赖于氮化工艺条件。根据电流传输机构,本文提出一种考虑了电荷积累、陷阱密度及其重心位置的击穿模型。