适用于数模混合集成的SOI MOSFET的失真分析

本文较为详细地分析了SOIMOSFET的失真行为 .利用幂级数方法对不同结构包括部分耗尽PD、全耗尽FD和体接触BC的SOI器件的谐波失真进行了对比性的实验研究 .同时 ,在实验分析的基础上提出了描述失真行为的连续的SOIMOSFET失真模型 .该模型通过引入平滑函数和主要的影响失真的物理机制 ,使得模拟计算结果能够与实验结果较好的吻合 .本文所得到的结果可用于低失真的数模混合电路的设计 ,并对低失真电路的优化提供指导方向 .

一个解析的适用于短沟SOI MOSFET’s的高频噪声模型

提出了一个新的解析的适用于SOIMOSFET’s的高频噪声模型 .该模型通过耦合能量平衡方程克服了以往噪声模型所具有的缺点 ,并对短沟SOI器件的噪声给出精确地描述 .同时 ,利用该模型可以容易地计算出相对于最小噪声值处的优化的栅源电压 ,为低噪声的电路设计提供优化的设计方向 .由于该噪声模型的简单性 ,可以很方便地将模型植入电路模拟器如SPICE中完成电路设计 .

金属有机化学气相沉积法生长AlN/Si结构界面的研究

采用金属有机化学气相沉积法在Si(111)衬底上生长了AlN外延层。高分辨透射电子显微镜显示在AlN/Si界面处存在非晶层,俄歇电子能谱测试表明Si有很强的扩散,拉曼光谱测试表明存在Si-N键,另外光电子能谱分析表明非晶层中存在Si_3N_4。研究认为MOCVD高温生长造成Si的大量扩散是非晶层存在的主要原因,同时非晶Si_3N_4层也将促使AlN层呈岛状生长。

微热板阵列的热干扰

针对微热板阵列建立了热路模型,并对热干扰进行分析.结果表明,由于微热板悬空结构的热阻比硅芯片的热阻高3个数量级,因此微热板阵列芯片的热干扰温度取决于封装对环境的热阻,而芯片上器件的间距对热干扰温度的影响可以忽略.研制了3种布局、TO5和DIP16两种封装形式的微热板阵列,并对阵列中的热干扰问题进行了实验测试.测试数据验证了热路模型的结论.因此,减小微热板阵列或集成芯片的热干扰的关键在于,尽可能增大微热板悬空结构的热阻以及选用热阻小的封装形式.

永磁同步电机的模糊控制研究

永磁同步电机(PMSM)采用传统PID控制器时,在面对特定参数的情况下,控制系统能够取得良好的控制效果.但当系统参数发生变化时,需要对PID控制器进行重新设计,使其适应各种情况.为了解决这个问题,本文提出了一种新型的模糊PID控制器,它可以随时调节PID参数,对比例、积分、微分环节进行自调整,使得永磁同步电机能够快速跟踪输出量.通过仿真实验表明,模糊PID控制器具有响应速度快、稳定精度高等优点.

香港高校本科教育的特点及启示

关于国内高等教育体制与模式,不少研究者提出了自己的看法。内地高校与香港高校以及国外高校在大学教育体制与模式方面存在不少差异。香港的高校培养模式与欧美高校接轨,近些年来,很多家长和考生将目光投向香港高校。

低温近场光学显微术对InGaN/GaN多量子阱电致发光温度特性的研究

使用实验室自制的低温近场光学显微镜研究了InGaN/GaN多量子阱发光二极管在室温和液氮温度下的近场光学像和近场光谱,发现随着温度的降低,不仅近场光学像的光强起伏大大减小,量子阱发光峰先蓝移后红移,而且在液氮温度下在光子能量更高的位置上出现了新的发光峰.通过对实验结果的分析,我们将这个新出现的峰归结为p-GaN层中导带底-受主能级间跃迁形成.