多晶硅薄膜的表面处理工艺

采用ＮＨ３和Ｎ２Ｏ的等离子体分别对ｐ－Ｓｉ（多晶硅）薄膜表面进行了钝化处理，处理后的 ｐ－Ｓｉ ＴＦＴ（薄膜晶体管）具有比未处理 ＴＦＴ更优越的性能，通电试验与热应力试验后，处理后的器件呈现出更好的承受电负荷和热应力能力，钝化的微观机理是ＮＨ３和Ｎ２Ｏ等离子体中和了ｐ－Ｓｉ薄膜的悬挂键，形成牢固的Ｓｉ－Ｎ键，减少了表面态密度．

并联机构的奇异位形分析及冗余驱动控制方法

运用微分几何的方法分析了存在于并联机构中的各种奇异位形。采用冗余驱动方法解决并联机构奇异位形的控制问题。设计并实现了平面二自由度并联实验装置 。

单块偏振片反射式向列相液晶显示器的理论设计与实验制造研究(英文)

反射式液晶显示器 ( RLCDs)具有亮度高、无视差等优点 ,并且结构简单 ,适合于现行的制造工艺和驱动方式 .本文利用我们提出的参数空间法 (偏振片角度、扭曲角及双折射率的函数 )研究了适用于反射式液晶显示器 ,这种研究表明所有的反射式液晶显示模式都可以在这个参数空间里得以表述 ,如扭曲向列型的电控双折射模式 ( TN-ECB) ,混合场效应模式( HFE) ,混合向列型模式 ( MTN) ,以及自补偿向列型模式 ( SCTN) .在此基础上我们提出几种新的反射模式 ,如反射向列型及反射超扭曲向列型 (通过搜索参数空间得到 ) ,二者均适用于直视型和投影型显示方式 .我们已制成反射向列型及反射超扭曲向列型样品 ,实验结果和理论设计符合一致 .

并联机构奇异点分析的新方法

根据并联机构位形空间的特点 ,采用微分几何和微分拓扑的方法 ,提出了一种并联机构奇异点的新的分类方法 ,即分为拓扑奇异点 ,参数化奇异点两种类型 ,并把它与现有的几种分类方法进行了比较。

凹陷沟道SOI器件的实验研究

本文较为详细地描述了凹陷沟道ＳＯＩ器件的结构和工艺制造技术，采用凹陷沟道技术制备的ＳＯＩ器件的性能明显优于常规厚膜部分耗尽和常规薄膜全耗尽ＳＯＩ器件的性能．采用该技术已成功地研制出沟道区硅膜厚度为７０ｎｍ、源漏区硅膜厚度为１６０ｎｍ、有效沟道长度为０．１５～４．０μｍ的高性能凹陷沟道ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ，它与常规薄膜全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ相比，跨导及饱和漏电流分别提高了约４０％．

黎曼几何在并联机构动力学中的应用

介绍了采用黎曼几何的方法描述并联机构的动力学问题,推导出了一种十分简的动务学方程,黎曼几何的引入有助于我们对并联机构的动力学进行深入研究。

多晶硅薄膜的等离子氢化新工艺

根据多晶硅薄膜氢化的微观机理 ,提出改进氢化效果的工艺方法。在不增加设备投资的情况下 ,采用该方法能够明显提高多晶硅薄膜的氢化效果 ,从而提高薄膜晶体管的性能 ,ION/ IOFF从1 0 3量级增加到 1 0 5量级 ,氢化工艺的处理时间也相应缩短。

多晶硅薄膜晶体管的表面氮钝化技术

采用 N2 O和 NH3等离子钝化技术对多晶硅薄膜表面和栅氧表面进行了钝化处理。实验结果表明 ,该技术能够有效降低多晶硅薄膜的界面态密度 ,提高多晶硅薄膜晶体管性能。二次离子质谱仪分析表明在 p- Si/ Si O2界面有氮原子富积 ,说明生成了强的 Si-

硅基双层薄膜谐振器的数学模型及优化设计

研究了用工业ＩＣ技术和微细加工技术制造的硅基双层薄膜谐振器的工作机理，并建立了数学模型．对薄膜谐振效率、振幅及声产生效率与薄膜厚度、初始应力的关系进行了理论分析和计算，理论曲线与实验结果符合得很好．最后，给出了电热激励薄膜谐振器的优化设计方法．

MIUC poly-Si TFT显示驱动电路的性能优化

以金属诱导单向横向晶化多晶硅薄膜晶体管(MIUC poly-Si TFT)为基本器件单元,采用2M1P 5μmCMOS工艺研制出适合于作全集成有源显示周边驱动的行扫描和列驱动电路。行扫描和列驱动电路的工作频率随工作电压呈指数式增加,然后趋于线性增长。在外加激励信号电压为10 V时,工作频率可以达5 MHz。在5 V电压应力条件下连续工作15 000 s,行扫描和列驱动电路的输出特性基本不衰退。将这样的行、列驱动电路集成制作于像素矩阵电路的周边,研制出具有良好动态显示功能的彩色'板上系统(SOP)'型有源选址液晶显示器(AMLCD)模块。