硅表面氧化膜的X光电子谱及部分参数固定法曲线拟合

本文用Ｘ光电子谱及部分参数固定曲线拟合方法分析了热生长硅氧化膜和硅的自然氧化膜中硅和氧的结合状态，发现两者均不是单一的ＳｉＯ２，硅在以上两种氧化膜中共有四种氧化状态，即Ｓｉ＋１，Ｓｉ＋２，Ｓｉ＋３和Ｓｉ＋４，它们相对于体Ｓｉ２ｐ，峰的化学位移分别为０．８５，２．３５，３．５５和４．６０ｅＶ．在硅的初期氧化阶段无Ｓｉ＋４成分出现．

微氮直拉硅单晶中的原生氧沉淀

本文利用红外光谱技术研究了氮保护气氛下生长直拉微氮硅单晶中原生氧沉淀．研究发现，微氮硅单晶中除了有和１２２４ｃｍ－１红外吸收峰相对应的ａ。方石英原生氧沉淀外，还存在和１０２６，１０１４，９９６和８０１ｃｍ－１红外吸收峰相对应的氧氮复合体的原生氧沉淀．实验还研究了原生氧沉淀在微力硅单晶中的分布，以及和氧碳氢杂质的关系，进一步指出，上述除１２２４ｃｍ－１之外的红外吸收峰，并不是某一种氧现复合体的振动吸收，而是对应着几种不同形态的氧氨复合体。

谐波轴承负荷分布的一种新算法

本文通过建立单力圆环迭加计算模型，导出了谐波轴承负荷分布的一种新算法。该算法获得的结果不但与实验结果吻合，而且较现有算法的数学表达式来得简单，精度高，计算量大幅度减少，并能计算不同类型的凸轮廓曲线的轴承负荷分布。