钴钝化多孔硅的制备及其场发射特性研究

采用化学染色腐蚀法在Co(NO3)2 和HF酸组成的腐蚀液中制备了钴钝化多孔硅,其表面形貌由垂直于表面分布的尺度为0.5~1.5μm 的硅尖组成,部分硅尖顶端还有0.1~0.5μm的圆形孔洞,硅尖的面密度约为1.0×108 个/cm2,多孔硅层厚度约为2μm。XPS分析结果表明,钴原子仅存在于多孔硅表面非常薄的一层内。其场发射具有较好的可靠性和可重复性,开启场强一般为2.3V/μm 左右,场强为5.4V/μm时,亮点均匀而且密集,发射电流密度达到30μA/cm2 左右。

电去离子替代混床的超纯水制备技术

介绍了国产电去离子装置代替混床制备电子工业超纯水的工艺流程、运行参数、经济效益、运行管理经验。长达14个月的连续运行表明,该系统的产水量为32m3/h时,产水水质达到16MΩ.cm以上。该工艺系统运行可靠,产水水质稳定,无污水排放,运行费用明显降低,同时工人的劳动强度和生产环境得到改善。

采用热纯水漂洗消除时间雾缺陷

清洗工艺在抛光Si片加工中广泛使用,其纯水槽使用的纯水受区域和季节变化的影响,温度最大波动可以达到10℃以上。阐述了这种波动对清洗后Si片表面化学残留物浓度造成的影响,当冬季水温出现下降,Si片表面化学残留浓度上升,导致时间雾的出现。提出使用热纯水漂洗技术,通过纯水加热器对最终清洗机纯水溢流槽纯水进行加热,使纯水温度保持在稳定水平,在生产中可有效地消除时间雾缺陷并且将Si片表面化学残留浓度控制在良好的水平。

探讨智能化制造技术和智能化工厂

随着时代的飞速发展和科技的不断进步,我国的制造业日新月异,为国家的经济增长和社会发展提供了强大的助力,在新时代的社会背景下,智能化这个词语已经涉及到了社会的各个层面。本文深入探究和分析了在智能化产业生产制造的过程当中智能技术的应用以及存在的问题,来说明智能化对生产劳动效率的提升作用,与此同时,也说明了我国制造业的发展迈向了一个新的高度。

电气控制电路检修的方法及技术探讨

在电气控制电路的正常运行中,时常会因为各种人为或者自然环境因素而出现故障。这严重影响了企业的正常运行与人民的正常生活秩序。因此,我们必须重视电气控制电路的检修工作,开发与发展先进、系统的检测方法与技术,保证电气设备能够正常高效运行。本文对电气控制电路常见故障和故障排查方法,以及电气控制电路检修方法与技术几个方面进行了详细论述,以期能够促进企业的发展、提高人民生活质量。

勾形磁场中硅单晶氧轴向均匀性控制

本文在KX170MCZ型单晶炉上通过调整磁场、调整拉晶中的埚转,主要研究单晶硅棒中的氧含量及轴向分布,最终拉制出低氧含量及较小的氧轴向梯度的单晶硅棒。

砂浆密度对多晶硅锭剖方尺寸的影响

在多晶硅锭剖方过程中,砂浆有着极其重要的作用,不同的砂浆密度会直接影响剖方后的小方棒尺寸、表面平整度。在设定砂浆温度、砂浆流量及设备工艺参数为恒量的情况下,通过实验得出了多晶硅锭剖方的最佳砂浆密度,从而为加工出高质量的小方棒,提高成品率提供了参考。