离子注入多晶硅的等离子腐蚀技术

用平行平板腐蚀器和两种不同的化学蚀剂(SF_6-O_2-Ar和SF_6-CCl_2F_2-Ar)研究离子注入掺磷多晶硅的干法腐蚀。以前发现,这两种方法腐蚀固态源扩散掺磷多晶硅的结果十分理想。使用两种不同的蚀剂产生不同的注入多晶硅剖面。蚀剂SF_6-CCl_2F_2-Ar导致尖锐的凹陷状豁口;而蚀剂SF_6-O_2-Ar则会造成条宽损耗,但不会产生豁口。本文提供了离子注入多晶硅的剖面样品,并对两种蚀剂产生不同剖面的可能机理进行讨论。通过在不同深度掺杂物浓和离子注入多晶硅的结构变化解释豁口。提出,腐蚀剂SP_6-O_2-Ar腐蚀产生的离子注入多晶硅,其剖面无豁口的原因是蚀剂SF_6-O_2-Ar中的氧和腐蚀表面的相互作用致使蚀剂对离子注入多晶硅中的杂质浓度不很敏感。本文提供了支持这种解释的简单实验的结果。

深耗尽SOI MOSFET的短沟道效应

用二维分析模型和计算机模拟研究了深耗尽绝缘层上硅MOSFET中的短沟道效应。通过耗尽膜的垂直电场对穿过源和漏区的水平电场有很大的影响,减薄硅膜的厚度就可以大大地削弱短沟道效应。

FLOWS自动天气站网

本文详细介绍FLOWS(FAA-Lincoln Laboratory Operational Weather studies)自动天气站网的情况,该站网用于在终端多普勒天气雷达计划中评估雷达对风切变的探测能力和帮助了解微下击暴流的强迫机制.这些天气站沿用了原来灌溉局使用的PROBE站.目前的仪器装备已稍作修改调整,但大部分硬件与原来的相同,只不过资料收集平台完全是崭新的.该站网由30个站组成,每个站在一条GOES卫星通道上发送温度、相对湿度、气压、风向风速和降水量的1分钟平均值,以及风速峰值.

用于GOES-R的一种先进成象器概念

本文介绍一种用于GOES-R-的先进成象器概念设计的研究结果。初步的性能要求是根据国家海洋与大气管理局(NOAA)业务界和科学共同体的要求而确立的。现已研究出一种性能标尺规则,该规则为人们提供了传感器能力的一种度量标准,同时也使人们认识到主要设计参数的权衡折衷。本文描述基本设计原理,同时给出对灵敏度和分辨率的估计。

中国空间站的国际合作新视野

在过去10年中,中国经历了技术的稳定进步,这使其载人航天计划取得了举世瞩目的成就。为让世界对其温和崛起打消疑虑,中国正寻求在外空的探索与利用上开展合作。中国正以空前规模将其未来的空间站宣传为一个国际协作项目。1中国谋求空间站的国际合作如果中国空间站（CSS）计划作为国际合作与全球领导力的一个平台得到中国领导层的有效管理,那么这对中国来说在内外政策上能够获得附加利益。