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新型的CD-DCSK混沌键控保密通信系统 被引量:12
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作者 朱勇 王佳楠 丁群 《通信学报》 EI CSCD 北大核心 2012年第5期169-176,共8页
针对现有混沌键控通信系统存在的数据传输速率低性、安全性差等问题,提出一种新型的混沌键控通信系统——CD-DCSK(相关延迟—差分混沌键控),并对该系统的通信性能进行了深入地仿真分析。验证了改进的CD-DCSK同时兼具CDSK(相关延迟键控)... 针对现有混沌键控通信系统存在的数据传输速率低性、安全性差等问题,提出一种新型的混沌键控通信系统——CD-DCSK(相关延迟—差分混沌键控),并对该系统的通信性能进行了深入地仿真分析。验证了改进的CD-DCSK同时兼具CDSK(相关延迟键控)保密性高和DCSK误码率低的优点,并且系统的数据传输速率更是提高到了原有键控方式的2倍。同时利用该新型的键控系统很好地实现了图像数据信号的保密传输,证明本系统在数字保密通信中的可实现性和高安全性。 展开更多
关键词 混沌数字通信 混沌键控 CD—DCSK 图像加密
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基于射频磁控溅射法制备ZnO薄膜研究 被引量:1
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作者 艾春鹏 赵晓锋 +2 位作者 白忆楠 冯清茂 温殿忠 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第B12期81-84,共4页
研究射频磁控溅射法制备ZnO薄膜,采用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微镜(SEM)研究溅射功率、溅射时间和退火温度对薄膜微结构特性的影响,并分析ZnO薄膜阻变特性。实验结果表明,沉积态薄膜择优取向为〈002〉晶向,随溅射功率和退火... 研究射频磁控溅射法制备ZnO薄膜,采用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微镜(SEM)研究溅射功率、溅射时间和退火温度对薄膜微结构特性的影响,并分析ZnO薄膜阻变特性。实验结果表明,沉积态薄膜择优取向为〈002〉晶向,随溅射功率和退火温度增加,择优取向显著增强,溅射功率120 W时薄膜生长速率可达4.8 nm/min,薄膜厚度92 nm的ZnO薄膜具有阻变特性且开关比可达104。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 射频磁控溅射 微结构 阻变特性
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纳米多晶硅薄膜电阻压力和加速度多功能传感器(英文) 被引量:1
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作者 慕艾霖 赵晓锋 +2 位作者 李宝增 温殿忠 吴亚林 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期78-84,共7页
基于纳米多晶硅薄膜电阻的多功能传感器由压力传感器和加速度传感器构成。纳米多晶硅薄膜电阻构成的两个惠斯通电桥结构分别设计在方形硅膜表面和悬臂梁根部。采用MEMS技术和CMOS工艺在〈100〉晶向单晶硅片上实现压力/加速度传感器芯片... 基于纳米多晶硅薄膜电阻的多功能传感器由压力传感器和加速度传感器构成。纳米多晶硅薄膜电阻构成的两个惠斯通电桥结构分别设计在方形硅膜表面和悬臂梁根部。采用MEMS技术和CMOS工艺在〈100〉晶向单晶硅片上实现压力/加速度传感器芯片制作,利用内引线技术将芯片封装在一个印刷电路板(PCB)上。在室温下,工作电压为5.0V时,实验结果给出压力传感器灵敏度(a=0)为1.0mV/kPa,加速度传感器灵敏度(p=0)为0.92mV/g,可实现外加压力和加速度的测量,具有较好的灵敏度特性且交叉干扰较弱。 展开更多
关键词 多功能传感器 压力传感器 加速度传感器 MEMS技术 CMOS工艺
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