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题名基于MEMS技术研制RF硅基微电感线圈
被引量:1
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作者
温殿忠
潘择群
杨子江
张海燕
冯昌浩
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机构
黑龙江省电子工程重点实验室黑龙江大学
黑龙江大学集成电路重点实验室
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出处
《黑龙江大学工程学报》
2010年第4期78-83,共6页
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基金
国家自然科学基金资助项目(60676044)
黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室项目(DZZD20100024)
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文摘
在分析了硅基上金属线圈的串联电阻、金属层厚度等在低频和高频的情况下对Q的影响及原因的基础上,提出了一种在硅杯表面采用浓硼扩散区与镀金属膜形成的欧姆接触电极作为内引线的硅基电感的新制造方法。设计了硅基电感的版图尺寸和相关的工艺流程,用IntelliSuite软件模拟验证了工艺流程的可能性,再利用Ansys有限元软件中的电磁分析模块模拟了电流与磁感应强度的关系、衬底涡流分布等,为平面电感的理论与实验的进一步比较分析提供了参考依据。在研制过程中发现影响电感性能好坏的主要因素是衬底涡流效应,为此提出了在矩形硅杯膜上制作电感的方法,为了进一步减薄金属电感线圈衬底的厚度,在硅杯膜背面采用激光打孔得到了膜厚约为5μm的衬底,从而可以使衬底中的涡流大幅度减少、电感的Q值得到很大提高。此外,提出的新制造方法采用了绝缘性能比SiO2好的Al2O3薄膜作为电感线圈与衬底之间的绝缘层。结果表明,设计的平面螺旋电感具有制造工艺简单、与IC工艺相兼容的优点,有广泛的应用前景。
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关键词
MEMS
浓硼扩散区
内引线
激光打孔
硅基微电感
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Keywords
MEMS
heavily doped region
internal down-lead
laser hole
silicon-based inductor
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分类号
TN301
[电子电信—物理电子学]
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