一种高性能CMOS晶体振荡电路的设计

本文对晶体振荡器的线性和非线性理论给出一般性的理论描述。它建立在高Q值的谐振电路基础上。常见的是三点振荡器,包括Pierce振荡器以及单端口振荡器。通过对电路的阻抗进行根轨迹分析,则能更清晰地了解电路的非线性性能。通过无损耗假设,可得到起振的基本条件以及频率牵引度、临界阻抗及启动时间等表达式。作为在RF设计中的一个应用电路,本文给出一种应用在接收器芯片中的高性能CMOS晶体振荡器设计,该芯片用0.25μm CMOS工艺实现,仿真结果与系统要求一致。

中频限幅器设计

本文首先简要介绍了带有接收信号强度指示器(RSSI)的限幅器(limiter)工作原理,基于TSMC25 CMOS工艺,详细阐述了一个工作频率为3.84MHz,增益大于80dB的低噪声限幅器的设计,并给出了仿真结果。