应用电化学方法研究α和β_i(i=1,2,3)-K_5SiGa(OH_2)W_(11)O_(39)·nH_2O的氧化还原性质

本文系统地研究了 α和 βi( i=1,2 ,3) - K5Si Ga( OH2 ) W11O39· n H2 O的氧化还原性质 ,通过导数脉冲伏安、常规脉冲伏安和循环伏安法确定了其氧化还原机理 。

CH_3和CN取代8-羟基喹啉电子光谱性质的含时密度泛函理论研究

对8-羟基喹啉QH及其取代衍生物MQH和CNQH用密度泛函方法(DFT)在B3LYP/6-31G 水平上进行理论计算.探讨了供电子取代基(—CH3)和吸电子取代基(—CN)对分子电子结构、前线分子轨道能和光谱性质等的影响规律,在此基础上采用含时密度泛涵方法(TD-DFT)计算了电子光谱.计算结果表明,MQH,QH和CNQH的最低激发单重态都是A′,激发能分别为3 58,3 72和3 74eV.在高激发态,无论是供电子基团(—CH3)还是拉电子基团(—CN),都导致取代衍生物的电子光谱红移.

二苯胺类双席夫碱配体的非线性光学性质理论研究

运用有限场FF/PM3、FF/AM1及abinitio HF/6-31G方法从理论上探讨二苯胺双席夫碱类化合物分子结构特征、构象转化等对电子性质及非线性光学性质的影响,分析了双席夫碱配体偶极矩、极化率、超极化率对构象的依赖关系,为研究二苯胺双席夫碱配合物的非线性光学性质和发光特性奠定了基础。结果表明:二苯胺双席夫碱类化合物具有较大的非线性光学系数,从理论上为进一步探索优质非线性光学材料提供依据。

苯并噻二嗪吸电子基取代衍生物电子性质的理论研究

运用量子化学半经验方法对1,2,4苯并噻二嗪1,1二氧类化合物的8种取代衍生物进行了量子化学计算,从体系能量、几何构型、电子结构、前线分子轨道等几方面分析了吸电子基—CN,—NO2等取代后体系的电子性质变化规律.结果表明:随着取代基吸电子能力的增强,体系的活性增强,可为药物合成提供一定的理论指导.

2,5-二(2-羟基苯基)吡嗪及其单取代衍生物的结构及非线性光学性质的PM3方法研究

运用量子化学有限场ＦＦ／ＰＭ３方法，对２，５－二（２－羟基苯基）吡嗪及其单取代衍生物的能量、结构、非线性光学系数进行了分析，结果表明：２，５－二（２－羟基苯基）吡嗪分子中其中一个羟基的对位被取代后体系变得更加稳定，其单取代衍生物均为准平面结构，且具有较好的非线性光学性质，尤其是二阶非线性光学性质，这类化合物可能成为一类良好的光学材料。